Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521
Autor(en): Hähnel, Daniel
Titel: Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren
Erscheinungsdatum: 2019
Dokumentart: Dissertation
Seiten: XV, 113, xxxii
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-105385
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10538
http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521
Zusammenfassung: Im Rahmen der Arbeit wird eine Einordnung gegeben, inwiefern der TFET in der heutigen Skalierung der Mikroprozessoren eine Alternative zum konventionellen MOSFET-Aufbau darstellen kann. Im Speziellen wurde der Germanium-p-Kanal-Tunneltransistor experimentell über die Prozessentwicklung eines GAA-Aufbaus (komplett umgebende Gate-Elektrode, engl. Gate-All-Around-Structure) realisiert und über die physikalische Modellierung des Schaltverhaltens betrachtet.
Enthalten in den Sammlungen:05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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