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Autor(en): Weiers, Tilman
Titel: Magnetische Resonanz an Mangan-dotierten Halbleitern
Sonstige Titel: Magnetic resonance on manganese doped semiconductors
Erscheinungsdatum: 2003
Dokumentart: Abschlussarbeit (Diplom)
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-15482
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4719
http://dx.doi.org/10.18419/opus-4702
Zusammenfassung: Es werden mehrere Proben aus Mangan-dotiertem GaAs anhand der ESR untersucht. Aus den Spektren werden die Beiträge der Feinstruktur und Hyperfeinstruktur ermittelt. In einer der Proben werden Mn-S Komplexe beobachtet. Die Spektren aus Messungen im W-Band bei 94 GHz zeigen Beiträge von ionisiertem Mangan auf Zwischengitterplätzen.
Several GaAs samples doped with manganese at different concentrations are studied by EPR. From the spectra the fine structure and hyperfine structure contributions are evaluated and Mn-S complexes are found in one of our samples. The experiments carried out at 94 GHz reveal the presence of interstitial manganese in an epitaxial (Ga,Mn)As layer.
Enthalten in den Sammlungen:08 Fakultät Mathematik und Physik

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