Energy resolved measurements of the phonon ionization of D and A+ centers in silicon with superconducting Al tunnel junctions

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Burger, Wilfried	de
dc.contributor.author	Lassmann, Kurt	de
dc.date.accessioned	2009-10-12	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T08:35:52Z	-
dc.date.available	2009-10-12	de
dc.date.available	2016-03-31T08:35:52Z	-
dc.date.issued	1984	de
dc.identifier.other	317984594	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47016	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4915	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-4898	-
dc.description.abstract	By means of phonon spectroscopy with superconducting-Al tunnel junctions as tunable phonon generators we show that the threshold energy of the phonon-induced conductivity for Si: B+ and Si: P- agrees well with far-infrared data, proving that the ionization is mainly a one-phonon process. This ionization mechanism allows a sensitive detection of very-high-frequency phonons.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Supraleiter , Phononenspektroskopie	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Energy resolved measurements of the phonon ionization of D and A+ centers in silicon with superconducting Al tunnel junctions	en
dc.type	article	de
ubs.fakultaet	Fakultät Mathematik und Physik	de
ubs.institut	1. Physikalisches Institut	de
ubs.opusid	4701	de
ubs.publikation.source	Physical Review Letters 53 (1984), S. 2035-2037. URL http://dx.doi.org./10.1103/PhysRevLett.53.2035	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	08 Fakultät Mathematik und Physik

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