Konzepte zur gezielten lateralen Positionierung selbstordnender InAs Quantenpunkte

Abstract

Gezeigt wird die laterale Anordnung von selbstorganisierten Indiumgalliumarsenid-Gallium Quantenpunkten. Dieses wird durch selbstorganisiertes Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie auf vorstrukturierten Substraten erreicht. Diese Substrate wurden mit klassischer Halbleiterstrukturierung durch Elektronenstrahllithographie und reaktivem Ionenätzen hergestellt. Regelmäßige Lochmuster mit verschiedenen Perioden werden mit mehreren Lagen von Quantenpunkten überwachsen. Es wird die Bildung von lateralen Quantenpunktmolekülen beobachtet und deren optische Eigenschaften untersucht. Gezeigt wird auch eine laterale Interferenz der Verspannungsfelder von vergrabenen Quantenpunkten, die durch Simulationsrechnungen beschrieben werden kann.

This work shows the lateral site-control of self-organized Indiumgalliumarsenide-Gallium Quantumdots. This is achieved by molecular beam epitaxy on prepatterned substrates. These substrates were fabricated by classical semiconductor structuring with electron beam lithography and reactive ion etching. Regular hole patterns with different periodicities were overgrown with several layers of Quantumdots. The formation of lateral Quantumdotmolecules is observed and their optical properties are investigated. Furthermore, the lateral interference of strain fields of buried Quantumdots is shown and discribed by simulations.