Frequency-dependent conductivity in pure and iodine-doped &#945;-(BEDT-TTF)2I3

Przybylski, Michael; Helberg, Hans W.; Schweitzer, Dieter; Keller, Heimo J.

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Przybylski, Michael	de
dc.contributor.author	Helberg, Hans W.	de
dc.contributor.author	Schweitzer, Dieter	de
dc.contributor.author	Keller, Heimo J.	de
dc.date.accessioned	2011-07-22	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:43:41Z	-
dc.date.available	2011-07-22	de
dc.date.available	2016-03-31T11:43:41Z	-
dc.date.issued	1987	de
dc.identifier.other	352316306	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-64670	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/7630	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-7613	-
dc.description.abstract	Measurements of the microwave conductivity at 10 GHz show a plateau below the metal-insulator transition at 135 K in contrast to the further dropping dc conductivity. In pure material the plateau is independent of frequency (4 GHz, 10 GHz. and 22 GHz), but in the temperature range above 135 K strong frequency dependence is observed. Iodine doping causes frequency dependence also in the plateau range. Particular doping rates give rise to several conductivity behaviors for different crystal directions. The results are discussed referring to CDW depinning and relaxation processes.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Tetrathiafulvalen , Leitfähigkeit	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Frequency-dependent conductivity in pure and iodine-doped α-(BEDT-TTF)2I3	en
dc.type	article	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.opusid	6467	de
ubs.publikation.source	Synthetic metals 19 (1987), S. 191-196	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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