10 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs

Hurm, Volker; Rosenzweig, Josef; Ludwig, Manfred; Axmann, Albert; Benz, Willi; Berroth, Manfred; Osorio, Ricardo; Hülsmann, Axel; Kaufel, Gudrun; Köhler, Klaus; Raynor, Brian; Schneider, Joachim

Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-8190

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Hurm, Volker	de
dc.contributor.author	Rosenzweig, Josef	de
dc.contributor.author	Ludwig, Manfred	de
dc.contributor.author	Axmann, Albert	de
dc.contributor.author	Benz, Willi	de
dc.contributor.author	Berroth, Manfred	de
dc.contributor.author	Osorio, Ricardo	de
dc.contributor.author	Hülsmann, Axel	de
dc.contributor.author	Kaufel, Gudrun	de
dc.contributor.author	Köhler, Klaus	de
dc.contributor.author	Raynor, Brian	de
dc.contributor.author	Schneider, Joachim	de
dc.date.accessioned	2014-04-30	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:45:28Z	-
dc.date.available	2014-04-30	de
dc.date.available	2016-03-31T11:45:28Z	-
dc.date.issued	1991	de
dc.identifier.other	406375747	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92401	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8207	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8190	-
dc.description.abstract	A 10 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver has been fabricated with a metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode and enhancement/depletion 0.5 μm recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs. A -3 dB bandwidth of 11.3 GHz has been achieved.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Optoelektronische Schaltung , Photodiode , HEMT , Galliumarsenid-Feldeffekttransistor	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	10 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs	en
dc.type	article	de
dc.date.updated	2015-11-11	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.opusid	9240	de
ubs.publikation.source	Microelectronic engineering 15 (1991), S. 275-278. URL http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90228-6	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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