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Autor(en): Nowotny, Ulrich
Lang, Manfred
Berroth, Manfred
Hurm, Volker
Hülsmann, Axel
Kaufel, Gudrun
Köhler, Klaus
Raynor, Brian
Schneider, Joachim
Titel: 20 Gbit/s 2:1 multiplexer using 0.3 μm gate length double pulse doped quantum well GaAs/AlGaAs transistors
Erscheinungsdatum: 1991
Dokumentart: Zeitschriftenartikel
Erschienen in: Microelectronic engineering 15 (1991), S. 323-326. URL http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90237-8
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92484
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8210
http://dx.doi.org/10.18419/opus-8193
Zusammenfassung: A high speed 2:1 multiplexer circuit in source coupled FET logic has been developed and fabricated using a recessed gate process for enhancement and depletion transistors with 0.3μm gate length. First results show a data rate of over 20 Gbit/s at 5 V supply voltage and 250 mW power consumption. The output voltage swing is adjustable between 0.3 V and 0.8 V for a 50 Ohm load. The out-put level can be varied between +1 V an -1 V. Comparison between simulation and measurement shows very good agreement.
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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