10 Gb/s monolithic integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver

Hurm, Volker; Rosenzweig, Josef; Ludwig, Manfred; Benz, Willi; Osorio, Ricardo; Berroth, Manfred; Hülsmann, Axel; Kaufel, Gudrun; Köhler, Klaus; Raynor, Brian; Schneider, Joachim

Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-8210

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Hurm, Volker	de
dc.contributor.author	Rosenzweig, Josef	de
dc.contributor.author	Ludwig, Manfred	de
dc.contributor.author	Benz, Willi	de
dc.contributor.author	Osorio, Ricardo	de
dc.contributor.author	Berroth, Manfred	de
dc.contributor.author	Hülsmann, Axel	de
dc.contributor.author	Kaufel, Gudrun	de
dc.contributor.author	Köhler, Klaus	de
dc.contributor.author	Raynor, Brian	de
dc.contributor.author	Schneider, Joachim	de
dc.date.accessioned	2014-05-12	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:45:30Z	-
dc.date.available	2014-05-12	de
dc.date.available	2016-03-31T11:45:30Z	-
dc.date.issued	1991	de
dc.identifier.other	406381046	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92722	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8227	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8210	-
dc.description.abstract	A photoreceiver based on a metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs is presented. The photoreceiver was fabricated using a 0.5-μm recessed-gate process for double delta-doped quantum-well HEMTs. The following mean values for the enhancement and depletion HEMT parameters, respectively, have been obtained: threshold voltages of 0.1 and -0.5 V, transconductances of 500 and 390 mS/mm, source resistances of 0.7 and 0.6 Ω-mm, and transit frequencies of 35 and 30 GHz. This process includes photodiodes. A deep wet etch was used to deposit the photodiodes on an undoped GaAs buffer layer.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Photodiode , Galliumarsenid , Aluminiumarsenid , Mischkristall , HEMT	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	10 Gb/s monolithic integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver	en
dc.type	article	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.opusid	9272	de
ubs.publikation.source	IEEE transactions on electron devices 38 (1991), S. 2713. URL http://dx.doi.org./ 10.1109/16.158744	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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