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dc.contributor.authorLang, Manfredde
dc.contributor.authorNowotny, Ulrichde
dc.contributor.authorBerroth, Manfredde
dc.date.accessioned2014-05-05de
dc.date.accessioned2016-03-31T11:45:28Z-
dc.date.available2014-05-05de
dc.date.available2016-03-31T11:45:28Z-
dc.date.issued1991de
dc.identifier.other406376336de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92500de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8209-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-8192-
dc.description.abstractAn ultrahigh speed 4 bit demultiplexer circuit has been developed and fabricated using a recessed gate process for enhancement and depletion transistors with 0.3 mu m gate length. First results show a data rate of 11.6 Gbit/s and a power consumption of 165 mW at 0.85 V supply voltage, including four 50 Omega buffers.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationMultiplexer , Galliumarsenid-Feldeffekttransistor , Integrierte Schaltungde
dc.subject.ddc621.3de
dc.title11.6 Gbps 1:4 demultiplexer using double pulse doped quantum well GaAs/AlGaAs transistorsen
dc.typearticlede
ubs.fakultaetFakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtungde
ubs.institutSonstige Einrichtungde
ubs.opusid9250de
ubs.publikation.sourceElectronics letters 27 (1991), S. 459-460. URL http://dx.doi.org./ 10.1049/el:19910289de
ubs.publikation.typZeitschriftenartikelde
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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