05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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Start date: 1995End date: 1999Subject: search.filters.subject.620

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    ItemOpen Access
    Visualisierung von Datenbank-Abfragen in Java
    (1999) Engelmann, Ralf
    In vielen Industriefirmen sind Produktionsanlagen mit Datenbanken verbunden, in welchen die anfallenden Prozessdaten gespeichert werden. Diese Prozessdaten werden nach verschiedenen Kriterien mit Hilfe von Datenbank-Abfragen ausgewertet und die Ergebnisse werden grafisch aufbereitet. Die Aufgabe des dieser Arbeit zu Grunde liegenden Projektes war es, solche Prozessdaten durch ein zu entwickelndes Anwendungssystem, basierend auf Java-Technologie in einem WWW-Browser zu präsentieren. CORBA (Common Object Request Broker Architecture) bietet ein standardisiertes Verfahren zur Realisierung verteilter Anwendungen. Die zu entwickelnde Anwendung wurde als verteilte Anwendung auf der Basis einer Three-tier-Anwendungsarchitektur entworfen und mit Hilfe der CORBA-Technologie realisiert. Der Einsatz der CORBA-Technologie in diesem Projekt erlaubt den flexiblen und intelligenten Zugriff auf die Datenbank und die gleichzeitige Verarbeitung der gelesenen Daten. Die Präsentation der aufbereiteten Daten erfolgt in einem Java-Applet, welches in einem WWW-Browser ausgeführt wird und durch die erwähnte CORBA-Technologie die Daten erhält. Dieses Projekt wurde in Zusammenarbeit mit der Industriefirma adstec Automation, Daten- und Systemtechnik GmbH (Oberaichen) durchgeführt.
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    ItemOpen Access
    Analyse der Eigenschaften von assoziativen Speichern für die Mustererkennung
    (1998) Bässler, Martin
    In dieser Diplomarbeit werden Hopfield - Netzwerke mit bis zu 32 Neuronen und asynchroner Abfrage untersucht. Dabei werden auf empirische Art die stabilen Zustände des assoziativen Speichers mit ihren zugeordneten Einzugsgebiete ermittelt anhand von Beispielnetzen. Besonderer Schwerpunkt sind dabei die Trajektorien, auf denen die stabilen Zustände erreicht werden, ausserdem wird die Eindeutigkeit der Zuordnung eines Anfangszustandes zu einem stabilen Zustand geprüft. Dabei traten Phänomene wie das der residuellen Fehler auf. In einem ersten Teil wird die benötigte Theorie aus der Literatur zusammengestellt. Gleichzeitig wird eine neue Erklärung für residuelle Fehler unter Verwendung derEnergiefunktion vorgeschlagen. Es ergaben sich 3 Typen von Zuständen: (1) Zustände, die einen stabilen Zustand repräsentieren (eingeprägte Muster bzw. durch einen residuellen Fehlerleicht verschobene Muster), (2) Zustände, die unabhängig von der Abfragereihenfolge immer zum gleichen stabilen Zustand streben (Zustände in Attraktionsbecken) und (3) Zustände, die je nach Abfragereihenfolge unterschiedliche stabile Zustände erreichen (nicht-zuordenbare Zustände). Der prozentuale Anteil nicht-zuordenbarer Zustände steigt mit wachsender Zahl der stabilen Zustände. Zustände in Attraktionsbecken können über unterschiedliche Trajektorien den stabilen Zustand erreichen. Die gefundenen Ergebnisse werden anhand größerer Netzwerksbeispiele validiert und im Hinblick auf die Verwendung assoziativer Speicher für die Mustererkennung diskutiert.
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    ItemOpen Access
    CMOS auf hochohmigem Silizium für integrierte Mikrowellenschaltungen (MMIC)
    (1999) Beck, Dietmar; Kasper, Erich (Prof. Dr. phil.)
    Schwerpunkt dieser Arbeit ist die Untersuchung der Integrationsmöglichkeit von Silizium Millimeter-Wellen-IC-Hochfrequenztechnologie (SIMMWIC) und CMOS-Technik. SIMMWIC ist eine auf der Silizium-Halbleitertechnik basierende Technologie zur Herstellung aktiver (z.B. Hetero-Bipolar-Transistoren, Schottky-Dioden) und passiver (z.B. Wellenleiterstrukturen) auf einem Silizium-Substrat. Diese Schaltungen können bis zu Frequenzen von rund 100 GHz eingesetzt werden und erlauben aufgrund ihrer hohen Betriebsfrequenz und damit verbunden kleiner Wellenlänge eine Integration kompletter Schaltungen auf kleinstem Raum. Der Wunsch nach Integration dieser Technologie mit der etablierten CMOS-Technologie basiert auf dem Streben nach geringen Fertigungskosten und einer damit verbundenen weiten Marktdurchdringung von Hoch- und Höchstfrequenzschaltungen. Ausgangspunkt war die Übertragung eines Aluminium-Gate-CMOS-Prozesses auf hochohmiges (5000 Ohm cm) zonen-gereinigtes (float zone, FZ) Silizium und die vergleichende Charakterisierung von Bauelementen und Schaltungen beider Technologien. Damit konnte die prinzipielle Darstellbarkeit von MOS-Transistoren auf FZ-Silizium gezeigt werden. An einer der drei untersuchten Prozeßvarianten konnten zudem ausgeprägte Kurzkanaleffekte auch an lang-kanaligen Bauelementen beobachtet werden. Verbunden mit diesen Kurzkanaleffekten konnte die Ausbildung leitender Oberflächenkanäle beobachtet werden, die auch bei verschwindend geringen Oxidladungsdichten auf p-leitendem hochohmigem Silizium auftreten. Zur Charaktersisierung verschiedener Technologieparameter mußte auf spezielle Meßmethoden wie Spreading Resistance-Messungen bei hochohimgem Silizium und Tieftemperatur-Kapazitäts-Spannungs-Messungen zurückgegriffen werden. Abschließend konnten verschiedene Aspekte der Integration von CMOS- und SIMMWIC-Technologie-Schritten bearbeitet werden, die eine grundsätzliche Integrationsfähigkeit bestätigen.