Universität Stuttgart
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Item Open Access Untersuchung des kombinierten Einflusses des äußeren Schweratoms und des Magnetfeldes auf die Triplet-Triplet-Annihilation und Phosphoreszenz des Anthrazens(1982) Kecle, G. A.; Mel'nikov, G. V.; Ponomarev, S. G.; Usik, V. P.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Mit den Methoden der Blitzspektroskopie wurde der Einfluß des äußeren Schweratoms (Chlor-A im Tetrachlorkohlenstoff) und des äußeren Magnetfeldes (13 kG) auf die Triplett-Triplett-Annihilation und Phosphoreszenz des Anthrazens untersucht. Die Wahl von Anthrazen als Untersuchungsobjekt ist deshalb so aktuell, da es Ausgangssubstanz zur Gewinnung einer großen Klasse organischer Luminophore ist. Die ermittelten Ergebnisse sind interessant für die Untersuchung der strahlungslosen und strahlenden Übergänge in den Molekülen der organischen Luminophore.Item Open Access Die wichtigsten Gesetzmäßigkeiten des Wachstums von Filmen und epitaktischen Schichten aus Ionenmolekularströmen(1999) Ljutovic, Abram Srulevic; Ludwig, Sören (Übersetzerin); Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Hier werden charakteristische Forschungsergebnisse verschiedener Autoren dargestellt, die die Vorgänge der Metallschichtabscheidung und Kristallisation von Halbleiter-Epitaxieschichten aus Ionenmolekularströmen untersucht haben. Dabei widmen wir den Untersuchungen zum Wachstum von Halbleiter-Einkristallschichten besondere Aufmerksamkeit.Item Open Access Zur Theorie der Bildung einer neuen Phase : die Kavitation(1983) Zel'dovic, Ja. B.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Der kritische Keim der neuen Phase (Gibbs) stellt einen aktivierten Komplex (Übergangszustand) des Systems dar. Die Bewegung des Systems durch den Übergangszustand ist das Ergebnis der Fluktiation und besitzt den Charakter der Brownschen Bewegung entsprechend der Theorie von Kramers und im Gegensatz zur Trägheitsbewegung in Eyrings Theorie der chemischen Reaktionen. Die Beziehung zwischen der Geschwindigkeit (Wahrscheinlichkeit) des direkten und umgekehrten Prozesses - Keimbildung und -verminderung - wird bestimmt aus der Stationaritätsbedingung der Gleichgewichtsverteilung, was zu einer Gleichung vom Fourier-Fick-Typ (der Wärmeleitfähigkeit oder Diffusion) im Stab von veränderlichem Querschnitt oder im Strom mit veränderlicher Geschwindigkeit führt. Die Größe des Diffusionskoeffizienten ergibt sich aus dem Vergleich mit der makroskopischen Kinetik der Keimveränderung, die die Fluktuation unberücksichtigt läßt (vgl. die Einsteinsche Anwendung des Stokes-Gesetzes auf die Diffusion). Berechnet wird die stationäre Geschwindigkeit der Keimbildung (Keimzahl pro Kubikzentimeter pro Sekunde bei jeweiliger Übersättigung). Für die Kondensation des Dampfes unterscheiden sich diese Ergebnisse nicht von Vollmers Ergebnissen. Bei der Kavitation einer Flüssigkeit mit geringem Dampfdruck wird die Geschwindigkeit der Keimbildung bei großem negativem Druck bestimmt durch die Viskosität der Flüssigkeit (und nicht durch ihre Verdampfungsgeschwindigkeit, wie Döring annimmt). Auf analoge Weise kann auch die Kristallisation einer verdünnten Lösung untersucht werden, wo die Geschwindigkeit der Keimbildung durch die Diffusion bestimmt wird. Aufgrund näherungsweister Lösung der instationären Gleichung wird die Abhängigkeit der Kavitationswahrscheinlichkeit von der Einwirkungsdauer des negativen Drucks (Flüssigkeitsbrechkraft) und dem Bereichsumfang untersucht, der anstelle des negativen Drucks auftritt. Schrittweise werden Anmerkungen zur Theorie der Heterophasenfluktuationen von Frenkel gemacht.Item Open Access Nichtthermische Aktivierung von Kristallisationsvorgängen(1999) Ljutovic, Abram Srulevic; Ludwig, Sören (Übersetzerin); Pertschi, Ottmar (Übersetzer)§ 1. Der Einfluß elektrischer Felder auf den Kristallisationsvorgang § 2. Optische Einwirkung auf die Kristallisationsvorgänge § 3. IonenimplantationItem Open Access Energiespektrum beschleunigter Ionen, die die Wachstumsoberfläche bombardieren und ihr Einfluß auf das Epitaxie-Wachstum(1999) Ljutovic, Abram Srulevic; Ludwig, Sören (Übersetzerin); Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Die Untersuchung der Wachstumsbedingungen epitaktischer Schichten unter äußeren Einwirkungen führt zum tieferen Verständnis der Natur der Oberflächenkristallisation, der Keimbildungsprozesse und der orientierten Kristallisation. Eine notwendige Bedingung für die Entwicklung einer allgemeinen Theorie zur orientierten Kristallisation an der Wachstumsoberfläche ist die Beschaffung eindeutiger Informationen über die energetischen Aspekte der Oberflächenerscheinungen bei der Schichtkristallisation (Adsorptionsenergie, Oberflächendiffusion, Gesamtbindungsenergie in einer Atomgruppe, freie Energie des Systems). Eine gute Perspektive haben in dieser Hinsicht Abscheidungsverfahren mit direkter Anregung der verschiedenen Wechselwirkungsmechanismen zwischen den adsorbierten Atomen und der Wachstumsoberfläche; Verfahren mit orientierender Wirkung der Mutterkathode auf die Keime und Verfahren zur Stimulation der Keimbildungszentren. Als Verfahren der äußeren energetischen Einwirkung auf die Kristallisation kommen in Frage: Bestrahlung mit ionisierender Strahlung, Licht, geladenen Teilchen (Ionen oder Elektronen); konstante elektrische und magnetische Felder, elektrische, magnetische und elektromagnetische Hochfrequenzfelder; die Schaffung besonderer Reinheitsbedingungen für die Oberflächenkristallisation im Höchstvakuum. Am effektivsten ist die Einwirkung mittels Ionenstrahl. Für das volle Verständnis der physikalischen Stimulationsprozesse der Niedertemperaturepitaxie ist es jedoch notwendig, die Wirkung von Ionen verschiedener Energien mit unterschiedlicher Dichte unter Berücksichtigung der kristallographischen Struktur der gewonnenen Schichten zu untersuchen.Item Open Access Durch Abscheidung ionisierter Cluster gewonnene Solarzellen(1999) Ljutovic, Abram Srulevic; Ludwig, Sören (Übersetzerin); Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Das Verfahren zur Abscheidung ionisierter Cluster aus dem Strahl wurde bei der Erzeugung ohmscher Kontakte auf Siliziumsubstrat angewendet. Es zeigt sich, daß die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der Elemente verbessert werden können, wenn Silber ohne Abscheidung von Mehrschichtfilmen oder Temperverfahren auf Substratflächen des n- und p-Typs abgeschieden werden.Item Open Access Niedertemperaturdiffusion von Siliziumverunreinigungen(1985) Uskov, V. A.; Erofeeva, E. A.; Lineva, N. A.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)In der Arbeit werden die Versuchsergebnisse der Verfasser zur Niedertemperaturdiffusion der Nebengruppenelemente I (Au, Ag), VI (Cr) und VII (Ni, pd) des Periodensystems in Si verallgemeinert dargestellt. Die Problemstellung ergab sich aus der Bedeutung, die die Niedertemperaturdiffusion in der neuen Technologie der Festphasenepitaxie des Siliziums spielt, aber auch aufgrund der Erscheinungen, die die physikalische Zuverlässigkeit der elektronischen Bauteile bestimmen.Item Open Access Aus der Geschichte der Anwendung quantenmechanischer Darstellungen auf die Theorie der freien Elektronen(1981) Frenkel, V. Ja.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Eine Schlüsselrolle in der Entstehung der Quantenmechanik nehmen Paulis Arbeit von 1925, die das Ausschließungsprinzip enthält (Über Gasentartung und Paramagnetismus), und ein Aufsatz von Fermi zur Statistik des einatomigen Gases ein.Item Open Access Diskussionsbeiträge auf der 2. Unionskonferenz über Kernphysik, Moskau, 20. - 26. September 1937(1981) Pauli, Wolfgang; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Wolfgang Paulis Bemerkungen zu einigen Problemen der Kernphysik auf der 2. Unionskonferenz Moskau, 20. - 26. September 1937: - über kosmische Strahlung - über den beta-Zerfall - über die KernkräfteItem Open Access Wirkung der Ionen auf das Kristallwachstum : Charakteristik der Abscheidungskennwerte(1999) Ljutovic, Abram Srulevic; Ludwig, Sören (Übersetzerin); Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Die Ionen übertragen Energie, Impuls und Ladung auf das Substrat und die Abscheidungsschicht und haben somit Einfluß auf die Elementarprozesse, die an der Substratoberfläche ablaufen (Keimbildung und -wachstum) und auch auf die Schichtzusammensetzung. Auf der Substratoberfläche beeinflußt das Ionenbombardement die chemische Reinheit, die Defektdichte und die Ladungsverteilung, was wiederum eine lokale Temperaturerhöhung begünstigt. Außerdem kann es infolge der Zerstäubungs- und Diffusionseffekte zur Bildung von Grenzschichten kommen, d. h. Schichten, die aus Substrat- und Schichtmaterial bestehen. Während der Bildung und des Wachstums der Keime beeinflussen die Ionen den kritischen Druck, die Anzahl und Mobilität der Keime, die Koaleszenz oder Epitaxie und im weiteren Verlauf des Schichtwachstums auch die Schichtstruktur und -morphologie; die Desorption der Beimischungsteilchen steigt an, und die wiederholte Zerstäubung wird aktiviert. Die Ionen beeinflussen auch die Schichtzusammensetzung, besonders bei der Abscheidung von Dotierungen oder während der Reaktionsprozesse. Das Eindringen von Ionen beim Beschichten kompliziert den Kondensationsvorgang. Für eine gezielte Änderung der Kondensationsbedingungen während der Ionenabscheidung müssen die passenden Prozeßparameter geschaffen werden. Dies setzt genaue Kenntnisse des Typs, der Geschwindigkeit und der Energie aller an der Kondensation teilnehmenden Teilchen und außerdem des Charakters der Teilchenwechselwirkung voraus. Die allgemeine Charakteristik des Ionenabscheidungsprozesses kann sich auf die Einschätzung des Energieaktivierungsgrades gründen.