Universität Stuttgart
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Item Open Access Energy gap reduction in superconducting tin films by quasiparticle injection(1977) Fuchs, Jürgen; Epperlein, Peter W.; Welte, Michael; Eisenmenger, WolfgangIn Sn-/-Sn-/-Pb tunneling structures the energy gap ΔSn of Sn is reduced by quasiparticle injection via single-particle tunneling between the Sn films. ΔSn as function of the quasiparticle density is probed by the Pb contact and found in agreement with the theory of Owen and Scalapino. An instability of the energy gap of Sn is observed at the critical gap reduction ratio predicted by this theory for a first-order phase transition.Item Open Access Quasiparticle recombination and 2Δ-phonon-trapping in superconducting tunnelling junctions(1976) Eisenmenger, Wolfgang; Lassmann, Kurt; Trumpp, Hans-Joachim; Krauß, RichardThe experimental recombination lifetime τeff of quasiparticles in superconducting films in general exceeds the intrinsic recombination lifetime τR by phonon trapping. On the basis of geometric acoustic propagation and reabsorption of phonons emitted in quasiparticle recombination, τeff is calculated as a function of film thickness d taking into account longitudinal and transverse phonon reabsorption, bulk loss processes and acoustical phonon transmission into the substrate. With increasing thickness d three characteristic ranges are found: range 1 with film thickness d small compared to the phonon reabsorption mean free path Λw, range 2 with d larger than Λw and dominating boundary losses, and range 3, also with d larger than Λw but with dominating bulk losses. For very small d the relation between τeff and τR, the intrinsic recombination lifetime, contains only the limiting angle of total reflection of phonons within the superconducting film. Therefore, τR can be directly obtained by τeff measurements and from the sound velocities of the film-substrate system. Range 2 is characterized by a linear dependence of τeff on d. In this range it is not possible to obtain τR from τeff measurements, however, τeff allows a determination of the phonon boundary transmission. Range 3 shows no thickness dependence of τeff on d in the limit of large d values. In this range a further method for obtaining τR from τeff values is suggested.Item Open Access Temperaturverbreiterung und -verschiebung der phononenlosen Linien in den optischen Spektren dotierter Kristalle(1976) Osad'ko, I. S.; Zdanov, S. A.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)Die Unmöglichkeit, mit den vorhandenen theoretischen Formeln die Hochtemperaturverschiebung der schmalen phononenlosen Linien (PLL) zu beschreiben, was vor allem mit dem Beitrag des Phononenflügels (PF) zu der zu messenden Halbwertbreite zusammenhängt. Eine nicht schlechte Übereinstimmung von allen untersuchten Niedertemperaturangaben zu der PLL-Verbreiterung mit den theoretischen Kurven, die in dieser Arbeit aufgestellt werden. Die Möglichkeit, im Versuch die Nichtspiegelbildlichkeit im PF, die durch die Veränderung der elastischen Kräfte bedingt ist, zu beobachten. Tatsächlich erweist sich zwei von vier Fällen die Veränderung der Kraftmatrix des Kristalls als ausreichend groß, damit die Nichtspiegelbildlichkeit erkennbar wird.Item Open Access Abhängigkeit der Fluoreszenzspektren organischer Moleküle in Mischkristallen von der Wellenlänge der Laseranregung(1976) Al'sic, E. I.; Personov, R. I.; Stogov, V. I.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)In der vorliegenden Arbeit wurde die Abhängigkeit der Fluoreszenzspektren von Mischkristallen von der Wellenlänge der Laseranregung untersucht. Als Ergebnis konnten nach der Durchführung der Versuche zwei Gesetzmäßigkeiten aufgestellt werden.Item Open Access Die optische Ühertragungsfunktion von dezentrierten optischen Systemen(1976) Beyeler, Bernhard H.; Tiziani, Hans J.Der Einfluß von Fabrikationsfehlern, unter spezieller Berücksichtigung von Zentrierfehlern, auf die optische Übertragungsfunktion, wird diskutiert. Dabei wird mit Hilfe der Störungsrechnung für kleine Dezentrierungen die Änderung der Wellenfront und damit die entsprechende Abweichung der OTF bestimmt. Daraus folgt eine relativ einfache Abschätzung der zulässigen Toleranzen. Die vorgestellten experimentellen Ergebnisse bestätigen die theoretischen Studien.Item Open Access Stimulierte Raman-Streuung an Polaritonen im konfokalen Resonator für die Stokessche Frequenz(1976) Panarin, A. M.; Obuchovskij, V. V.; Strizevskij, V. L.; Pertschi, Ottmar (Übersetzer)The theory of stationary stimulated Raman scattering (SRS) by polaritons in a confocal resonator at the Stokes frequency is reported in assumption that the pump and polariton waves are travelling. The condition of strong absorption in polariton region is realized. The main attention is paid to pumping threshold calculation and the real formula for the threshold is found. Neglecting diffraction divergence of the pumping wave, the energy flow of the Stokes wave from the resonator and the law of decrease in the pump energy flow in a non-linear crystal are determined. With a two- or three-fold excess of the threshold the pump energy is shown practically to transform completely into the Stokes energy. The quantitative comparison with the case of a plane resonator shows a much lower threshold in the confocal resonator, which is its main advantage.Item Open Access Intrinsic and experimental quasiparticle recombination times in superconducting films(1977) Eisenmenger, Wolfgang; Lassmann, Kurt; Trumpp, Hans-Joachim; Krauß, RichardExperimental quasiparticle recombination lifetime data for superconducting Al, Sn, and Pb films are compared with calculations based on a ray acoustic model taking account of the film thickness dependence of the reabsorption of recombination phonons. Information on the true or intrinsic quasiparticle recombination lifetime obtained from these and other data is discussed.Item Open Access Resonance and relaxation attenuation by neutral acceptors in a magnetic field(1977) Schad, Hanspeter; Lassmann, Kurt; Zeile, HeinrichFine structure, level splitting, and relaxation times of the acceptor ground state in cubic semiconductors can be deduced from ultrasonic attenuation. By the application of a magnetic field it is possible to vary the coupling strength and the number of acceptors on speaking terms with the ultrasonic wave. Making use of this possibility, we have determined directly effective coupling constants for relaxation attenuation and the temperature dependence of the critical intensity for saturation of the resonant interaction. Results obtained for p-type GaAs and Si are discussed in comparison with analogous results for glasses.Item Open Access Ultrasonic attenuation due to the neutral acceptor Mn in GaAs(1976) Lassmann, Kurt; Schad, HanspeterWe report on measurements of the ultrasonic attenuation in GaAs: Mn at frequencies between 400 and 2000 MHz and at temperatures between 1 and 35 K. The results indicate that there is a level 3 meV above the acceptor round state.Item Open Access Beurteilung der Bildqualität von Luftbildkammern(1977) Tiziani, Hans J.La fonction de transfert optique (OTF) se révèle un moyen très précieux pour comparer et se rendre compte de la qualité des systèmes optiques. 0n peut meme tenir compte des facteurs de l'environnement, tels que le mouvement des avions et de l'influence de l'atmosphère sur la qualité d'image. Les valeurs mesurées péuvent etre comparées aux valeurs calculées á partir des caractéristiques des lentilles. A l'aide d'un modèle basé sur des experiences, il fut possible d'établir une courbe de la valeur des seuils. Elle permet une comparaison entre les resultats basés sur la fonction de transfer de modulation et les resultats obtenus par des tests habitueIs de mesure du puvoir séparateur. Actuellement nous cherchons à réduire le volume des données provenant de calculs et de mesures, pour établire des indices de qualité et de focalisation utilisables en pratique.
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