Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-4893
Langanzeige der Metadaten
DC ElementWertSprache
dc.contributor.authorKöpf, Andreasde
dc.contributor.authorAmbrosy, Antonde
dc.contributor.authorLassmann, Kurtde
dc.date.accessioned2009-10-12de
dc.date.accessioned2016-03-31T08:35:51Z-
dc.date.available2009-10-12de
dc.date.available2016-03-31T08:35:51Z-
dc.date.issued1989de
dc.identifier.other317972391de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47176de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4910-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-4893-
dc.description.abstractIt is shown by dielectric resonance absorption at 24 GHz and by ultrasonic resonance spectroscopy between 5 and 10 GHz that linear coupling of the electric field to the ground state of effective mass acceptors in Si exists and has a distinct chemical shift from B to In.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationAkzeptor <Halbleiterphysik> , Elektrisches Feldde
dc.subject.ddc530de
dc.titleLinear stark coupling to the ground state of effective mass acceptorsen
dc.typeconferenceObjectde
dc.date.updated2010-09-28de
ubs.fakultaetFakultät Mathematik und Physikde
ubs.institut1. Physikalisches Institutde
ubs.opusid4717de
ubs.publikation.sourceMonemar, Bo (Hrsg.): Shallow impurities in semiconductors 1988 : proceedings of the Third International Conference held in Linköping, Sweden, 10 - 12 August 1988. Bristol : Institute of Physics, 1989 (Conference series / Institute of Physics, 95), S. 131-136de
ubs.publikation.typKonferenzbeitragde
Enthalten in den Sammlungen:08 Fakultät Mathematik und Physik

Dateien zu dieser Ressource:
Datei Beschreibung GrößeFormat 
las37.pdf269,98 kBAdobe PDFÖffnen/Anzeigen


Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.