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http://dx.doi.org/10.18419/opus-4893
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DC Element | Wert | Sprache |
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dc.contributor.author | Köpf, Andreas | de |
dc.contributor.author | Ambrosy, Anton | de |
dc.contributor.author | Lassmann, Kurt | de |
dc.date.accessioned | 2009-10-12 | de |
dc.date.accessioned | 2016-03-31T08:35:51Z | - |
dc.date.available | 2009-10-12 | de |
dc.date.available | 2016-03-31T08:35:51Z | - |
dc.date.issued | 1989 | de |
dc.identifier.other | 317972391 | de |
dc.identifier.uri | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47176 | de |
dc.identifier.uri | http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4910 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.18419/opus-4893 | - |
dc.description.abstract | It is shown by dielectric resonance absorption at 24 GHz and by ultrasonic resonance spectroscopy between 5 and 10 GHz that linear coupling of the electric field to the ground state of effective mass acceptors in Si exists and has a distinct chemical shift from B to In. | en |
dc.language.iso | en | de |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | de |
dc.subject.classification | Akzeptor <Halbleiterphysik> , Elektrisches Feld | de |
dc.subject.ddc | 530 | de |
dc.title | Linear stark coupling to the ground state of effective mass acceptors | en |
dc.type | conferenceObject | de |
dc.date.updated | 2010-09-28 | de |
ubs.fakultaet | Fakultät Mathematik und Physik | de |
ubs.institut | 1. Physikalisches Institut | de |
ubs.opusid | 4717 | de |
ubs.publikation.source | Monemar, Bo (Hrsg.): Shallow impurities in semiconductors 1988 : proceedings of the Third International Conference held in Linköping, Sweden, 10 - 12 August 1988. Bristol : Institute of Physics, 1989 (Conference series / Institute of Physics, 95), S. 131-136 | de |
ubs.publikation.typ | Konferenzbeitrag | de |
Enthalten in den Sammlungen: | 08 Fakultät Mathematik und Physik |
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