Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.18419/opus-6418
Authors: Ljutovic, Abram Srulevic
Title: Abhängigkeit der Anfangsbildungsstadien dünner und epitaktischer Schichten von der Wachstumstemperatur und der Oberflächenbestrahlung durch Ionen
Issue Date: 1999
metadata.ubs.publikation.typ: Verschiedenartige Texte
metadata.ubs.publikation.source: Originaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 97-105
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82065
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6435
http://dx.doi.org/10.18419/opus-6418
Abstract: Für uns war es von Interesse, die Abhängigkeit der Morphologie dünner (<2 mikro m) epitaktischer Siliziumschichten auf einem verwandten Substrat von der Kondensationstemperatur und der Bestrahlung der Wachstumsoberfläche mit einem Ionenstrahl des Abscheidungsmaterials zu vergleichen. Auch die Möglichkeit, Informationen über die kritische Dicke zu bekommen, d. h. über die minimale Dicke geschlossener Epitaxieschichten, reizte uns. Um die Abhängigkeit der Morphologie der Epitaxieschicht von der Art der Oberflächenvorbehandlung zu verringern, wurden unterschiedlich dicke Schichten auf ein Substrat abgeschieden, bei dem es sich um einen Siliziumwafer mit (111)-orientierter Oberfläche handelte. Die Abscheidungsexposition wurde über einen beweglichen Shutter realisiert, der dem Ionenmolekularstrom den Weg zum Substrat versperrte.
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