A 2.5 ns 8 x 8-b parallel multiplier using 0.5 &#956;m GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors

Berroth, Manfred; Hurm, Volker; Nowotny, Ulrich; Hülsmann, Axel; Kaufel, Gudrun; Köhler, Klaus; Raynor, Brian; Schneider, Joachim

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Berroth, Manfred	de
dc.contributor.author	Hurm, Volker	de
dc.contributor.author	Nowotny, Ulrich	de
dc.contributor.author	Hülsmann, Axel	de
dc.contributor.author	Kaufel, Gudrun	de
dc.contributor.author	Köhler, Klaus	de
dc.contributor.author	Raynor, Brian	de
dc.contributor.author	Schneider, Joachim	de
dc.date.accessioned	2014-05-12	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:45:29Z	-
dc.date.available	2014-05-12	de
dc.date.available	2016-03-31T11:45:29Z	-
dc.date.issued	1991	de
dc.identifier.other	406380309	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92555	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8218	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8201	-
dc.description.abstract	To increase performance of GaAs LSI digital circuits, a 0.5 μm recessed gate process has been developed and utilized for an 8x8-b parallel multiplier. The chip contains about 3000 heterostructure field effect transistors and has a power consumption of 1.5 W. The best results of the maximum multiplication time measured were below 2.5 nsec.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Galliumarsenid-Feldeffekttransistor , Multiplexer	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	A 2.5 ns 8 x 8-b parallel multiplier using 0.5 μm GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors	en
dc.type	article	de
dc.date.updated	2014-05-19	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.opusid	9255	de
ubs.publikation.source	Microelectronic engineering 15 (1991), S. 327-330. URL http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90238-9	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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