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Autor(en): Wang, Zhigong
Berroth, Manfred
Nowotny, Ulrich
Gotzeina, Werner
Hofmann, Peter
Hülsmann, Axel
Kaufel, Gudrun
Köhler, Klaus
Raynor, Brian
Schneider, Joachim
Titel: 15 Gbit/s integrated laser diode driver using 0.3 μm gate length quantum well transistors
Erscheinungsdatum: 1992
Dokumentart: Zeitschriftenartikel
Erschienen in: Electronics letters 28 (1992), S. 222-224. URL http://dx.doi.org./ 10.1049/el:19920138
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92708
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8225
http://dx.doi.org/10.18419/opus-8208
Zusammenfassung: An integrated laser diode driver was realised using enhancement/depletion 0.3 μm recessed-gate AlGaAs/GaAs quantum well transistors. Fully-open eye diagrams were observed at bit rates up to 10 Gbit/s with 50 Ω loads. The maximum DC and modulation current were 25 and 45 mA, respectively. The power consumption is less than 450 mW.
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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