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http://dx.doi.org/10.18419/opus-8210
| Autor(en): | Hurm, Volker Rosenzweig, Josef Ludwig, Manfred Benz, Willi Osorio, Ricardo Berroth, Manfred Hülsmann, Axel Kaufel, Gudrun Köhler, Klaus Raynor, Brian Schneider, Joachim |
| Titel: | 10 Gb/s monolithic integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver |
| Erscheinungsdatum: | 1991 |
| Dokumentart: | Zeitschriftenartikel |
| Erschienen in: | IEEE transactions on electron devices 38 (1991), S. 2713. URL http://dx.doi.org./ 10.1109/16.158744 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92722 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8227 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8210 |
| Zusammenfassung: | A photoreceiver based on a metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs is presented. The photoreceiver was fabricated using a 0.5-μm recessed-gate process for double delta-doped quantum-well HEMTs. The following mean values for the enhancement and depletion HEMT parameters, respectively, have been obtained: threshold voltages of 0.1 and -0.5 V, transconductances of 500 and 390 mS/mm, source resistances of 0.7 and 0.6 Ω-mm, and transit frequencies of 35 and 30 GHz. This process includes photodiodes. A deep wet etch was used to deposit the photodiodes on an undoped GaAs buffer layer. |
| Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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