Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen:
http://dx.doi.org/10.18419/opus-8881
| Autor(en): | Woltmann, Carsten |
| Titel: | Oxidische FETs mit sub-100 nm Gatelänge |
| Erscheinungsdatum: | 2016 |
| Dokumentart: | Dissertation |
| Seiten: | 120 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-88982 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8898 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8881 |
| Enthalten in den Sammlungen: | 08 Fakultät Mathematik und Physik |
Dateien zu dieser Ressource:
| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Woltmann_Dissertation.pdf | 12,9 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.