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http://dx.doi.org/10.18419/opus-9155
| Autor(en): | Lanzano, Marco |
| Titel: | Experimental investigation of VO2-based field-effect devices |
| Erscheinungsdatum: | 2016 |
| Dokumentart: | Dissertation |
| Seiten: | ii, 152 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-91720 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/9172 http://dx.doi.org/10.18419/opus-9155 |
| Zusammenfassung: | Field-effect transistors based on Mott insulators could overcome the limits encountered with modern electronic devices. In this work I investigate the construction of an all-oxide device amiming at characterizing the electric-field-induced metal-insulator transition in vanadium oxide (VO2) in order to define the potential of this material for next-generation electronic devices. |
| Enthalten in den Sammlungen: | 08 Fakultät Mathematik und Physik |
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