Die wichtigsten Gesetzmäßigkeiten des Wachstums von Filmen und epitaktischen Schichten aus Ionenmolekularströmen

dc.contributor.author	Ljutovic, Abram Srulevic	de
dc.contributor.other	Ludwig, Sören (Übersetzerin)	de
dc.contributor.other	Pertschi, Ottmar (Übersetzer)	de
dc.date.accessioned	2013-02-19	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T10:26:04Z
dc.date.available	2013-02-19	de
dc.date.available	2016-03-31T10:26:04Z
dc.date.issued	1999	de
dc.description.abstract	Hier werden charakteristische Forschungsergebnisse verschiedener Autoren dargestellt, die die Vorgänge der Metallschichtabscheidung und Kristallisation von Halbleiter-Epitaxieschichten aus Ionenmolekularströmen untersucht haben. Dabei widmen wir den Untersuchungen zum Wachstum von Halbleiter-Einkristallschichten besondere Aufmerksamkeit.	de
dc.identifier.other	381023184	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82081	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6437
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-6420
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Ion , Epitaxie	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Die wichtigsten Gesetzmäßigkeiten des Wachstums von Filmen und epitaktischen Schichten aus Ionenmolekularströmen	de
dc.type	report	de
ubs.fakultaet	Zentrale Universitätseinrichtungen	de
ubs.institut	IZUS Universitäres Bibliothekssystem (UB)	de
ubs.opusid	8208	de
ubs.publikation.source	Originaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 79-92	de
ubs.publikation.typ	Verschiedenartige Texte	de

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