Niedertemperaturdiffusion von Siliziumverunreinigungen

Abstract

In der Arbeit werden die Versuchsergebnisse der Verfasser zur Niedertemperaturdiffusion der Nebengruppenelemente I (Au, Ag), VI (Cr) und VII (Ni, pd) des Periodensystems in Si verallgemeinert dargestellt. Die Problemstellung ergab sich aus der Bedeutung, die die Niedertemperaturdiffusion in der neuen Technologie der Festphasenepitaxie des Siliziums spielt, aber auch aufgrund der Erscheinungen, die die physikalische Zuverlässigkeit der elektronischen Bauteile bestimmen.