Germaniumepitaxie aus einem Molekularstrahl im Vakuum

Abstract

Der gegenwärtige Stand und der weitere Entwicklungsweg der Germaniumepitaxie aus einem Molekularstrahl im Vakuum werden diskutiert. Es wurde die Abhängigkeit der Strukturqualität homoepitaktischer Schichten von der Temperatur, der Wachstumsgeschwindigkeit, dem Restgasdruck und dem Verfahren der Substratvorbereitung untersucht. Die Herstellungsbedingungen für Schichten mit geringer Konzentration an unkontrollierbaren Beimischungen werden betrachtet. Es wird gezeigt, daß die reproduzierbare Herstellung von Epitaxieschichten ohne Stapelfehler, mit einer Konzentration der Fehlanordnungen von 10(hoch 4) cm(hoch -2) und einem gegebenen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,1-1,0 Wxcm möglich ist.