Elektrophysikalische Eigenschaften der Schichten

Abstract

Da sich der Mechanismus des Ioneneinfangs durch die wachsende homoepitaktische Schicht (HES) wesentlich vom Einfangmechanismus neutraler Atome des Molekularstromes unterscheidet, steht die Untersuchung der Gesetzmäßigkeiten der Dotierungsprozesse im Mittelpunkt unseres Interesses, insbesondere die Abhängigkeit der Beimischungskonzentration in der HES von den Hauptparametern, die die Wachstumsbedingungen und den Beimischungsstrom charakterisieren: Temperatur und Geschwindigkeit des Schichtwachstums, Ionenstromdichte W und mittlere Tiefe der Ioneneindringung d.