Schulze, Jörg (Prof. Dr.)Zhang, Wogong2019-10-212019-10-2120191679168487http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-106155http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10615http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598In dieser Dissertation ist die Realisierbarkeit eines hochperformanten, integrierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls in SIMMWIC-Technologie (SIMMWIC, engl. für Silicon mm-Wave Integrated Circuit) mit einer Chipfläche 4 mm2 erfolgreich demonstriert. Im Vergleich zur Silizium-basierten RF-CMOS- bzw. BiCMOS-Technologie (BiCMOS, engl. für Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) könnte somit die SIMMWIC-Technologie eine kostengünstigere Alternative für moderne, hochperformante Drahtlosekommunikationsanwendungen darstellen.eninfo:eu-repo/semantics/openAccess621.3doctoralThesis