Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.advisor	Schulze, Jörg (Prof. Dr. habil.)	-
dc.contributor.author	Hähnel, Daniel	-
dc.date.accessioned	2019-08-29T11:51:53Z	-
dc.date.available	2019-08-29T11:51:53Z	-
dc.date.issued	2019	de
dc.identifier.other	1672446708	-
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-105385	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10538	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-10521	-
dc.description.abstract	Im Rahmen der Arbeit wird eine Einordnung gegeben, inwiefern der TFET in der heutigen Skalierung der Mikroprozessoren eine Alternative zum konventionellen MOSFET-Aufbau darstellen kann. Im Speziellen wurde der Germanium-p-Kanal-Tunneltransistor experimentell über die Prozessentwicklung eines GAA-Aufbaus (komplett umgebende Gate-Elektrode, engl. Gate-All-Around-Structure) realisiert und über die physikalische Modellierung des Schaltverhaltens betrachtet.	de
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren	de
dc.type	doctoralThesis	de
ubs.dateAccepted	2018-08-24	-
ubs.fakultaet	Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik	de
ubs.institut	Institut für Halbleitertechnik	de
ubs.publikation.seiten	XV, 113, xxxii	de
ubs.publikation.typ	Dissertation	de
ubs.thesis.grantor	Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik	de
Enthalten in den Sammlungen:	05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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