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dc.contributor.authorNitzsche, Maximilian-
dc.contributor.authorZehelein, Matthias-
dc.contributor.authorTröster, Nathan-
dc.contributor.authorRoth-Stielow, Jörg-
dc.date.accessioned2020-02-19T08:54:12Z-
dc.date.available2020-02-19T08:54:12Z-
dc.date.issued2018de
dc.identifier.isbn978-3-8007-4646-0-
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-107625de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10762-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-10745-
dc.description.abstractIn this paper different approaches in precise measurement of gate voltages as well as drain-source voltages of modern SiC and GaN transistors are compared. An approach to calculate the necessary bandwidth of a voltage probe to reproduce the voltage slope is presented. Furthermore, state-of-the-art voltage probes are compared in means of bandwidth, common mode reduction and response on EMI.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.ddc621.3de
dc.titlePrecise voltage measurement for power electronics with high switching frequenciesen
dc.typeconferenceObjectde
ubs.bemerkung.externWebsite der PCIM Europe: www.pcim-europe.comde
ubs.fakultaetInformatik, Elektrotechnik und Informationstechnikde
ubs.institutInstitut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebede
ubs.konferenznamePCIM Europe, International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (2018, Nürnberg)de
ubs.publikation.noppnyesde
ubs.publikation.sourcePCIM Europe 2018, International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management : proceedings. Berlin : VDE Verlag, 2018. ISBN 978-3-8007-4646-0, S. 1356-1361de
ubs.publikation.typKonferenzbeitragde
Enthalten in den Sammlungen:05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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