Zugriffsstatistik
Gesamtzugriffe
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Vertical Ge/SiGeSn-based p-channel nano field-effect transistors integrated on Si | 551 |
Gesamtzugriffe pro Monat
Januar 2024 | Februar 2024 | März 2024 | April 2024 | Mai 2024 | Juni 2024 | Juli 2024 | |
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Vertical Ge/SiGeSn-based p-channel nano field-effect transistors integrated on Si | 10 | 1 | 8 | 5 | 7 | 4 | 2 |
Dateidownload
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Thesis-Yasmine_Elogail-print_FINAL_IHT.pdf | 699 |
Häufigste Länder
Zugriffe | |
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Deutschland | 239 |
Vereinigte Staaten | 86 |
China | 37 |
Ägypten | 21 |
Frankreich | 17 |
Japan | 16 |
Irland | 15 |
Südkorea | 14 |
Taiwan | 14 |
Indien | 13 |
Häufigste Städte
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Frankfurt am Main | 141 |
Ashburn | 45 |
Stuttgart | 25 |
Dublin | 11 |
Cairo | 8 |
Taipei | 7 |
Amsterdam | 5 |
Erlangen | 5 |
Kassel | 4 |
Seongnam-si | 4 |