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http://dx.doi.org/10.18419/opus-13961
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DC Element | Wert | Sprache |
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dc.contributor.advisor | Werner, Jürgen H. (Prof. Dr. rer. nat. habil.) | - |
dc.contributor.author | Hassan, Mohamed | - |
dc.date.accessioned | 2024-02-27T12:42:31Z | - |
dc.date.available | 2024-02-27T12:42:31Z | - |
dc.date.issued | 2024 | de |
dc.identifier.other | 1881716503 | - |
dc.identifier.uri | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-139801 | de |
dc.identifier.uri | http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/13980 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.18419/opus-13961 | - |
dc.description.abstract | In meiner Dissertation geht es um die Simulation des Laserdotierungsprozess der Oberfläche des Siliziumwafers um hoch effizienten Solarzellen herzustellen. Die Simulation ermöglicht die genaue Vorhersage der Dimensionen eines dotierten Bereiches. Das hat ermöglicht, nicht nur die Abhängigkeit des ergebenden Schichtleitwerts von der benutzten Rastergeschwindigkeit des Laserstrahls auf die Siliziumoberfläche zu verstehen, sondern auch der Schichtleitwert einer laserdotierten Schicht basierend auf ein einfaches geometrisches Modell vorherzusagen. | de |
dc.language.iso | en | de |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | de |
dc.subject.ddc | 620 | de |
dc.title | Laser doping for silicon solar cells : modeling and application | en |
dc.type | doctoralThesis | de |
ubs.dateAccepted | 2023-09-26 | - |
ubs.fakultaet | Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik | de |
ubs.institut | Institut für Photovoltaik | de |
ubs.publikation.seiten | iii, 138 | de |
ubs.publikation.typ | Dissertation | de |
ubs.thesis.grantor | Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik | de |
Enthalten in den Sammlungen: | 05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik |
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Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
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Laser Doping for Silicon Solar Cells_Modelling and Application (1).pdf | 21,44 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
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