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dc.contributor.authorLjutovic, Abram Srulevicde
dc.contributor.otherLudwig, Sören (Übersetzerin)de
dc.contributor.otherPertschi, Ottmar (Übersetzer)de
dc.date.accessioned2013-02-19de
dc.date.accessioned2016-03-31T10:26:03Z-
dc.date.available2013-02-19de
dc.date.available2016-03-31T10:26:03Z-
dc.date.issued1999de
dc.identifier.other380950359de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82065de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6435-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-6418-
dc.description.abstractFür uns war es von Interesse, die Abhängigkeit der Morphologie dünner (<2 mikro m) epitaktischer Siliziumschichten auf einem verwandten Substrat von der Kondensationstemperatur und der Bestrahlung der Wachstumsoberfläche mit einem Ionenstrahl des Abscheidungsmaterials zu vergleichen. Auch die Möglichkeit, Informationen über die kritische Dicke zu bekommen, d. h. über die minimale Dicke geschlossener Epitaxieschichten, reizte uns. Um die Abhängigkeit der Morphologie der Epitaxieschicht von der Art der Oberflächenvorbehandlung zu verringern, wurden unterschiedlich dicke Schichten auf ein Substrat abgeschieden, bei dem es sich um einen Siliziumwafer mit (111)-orientierter Oberfläche handelte. Die Abscheidungsexposition wurde über einen beweglichen Shutter realisiert, der dem Ionenmolekularstrom den Weg zum Substrat versperrte.de
dc.language.isodede
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationEpitaxie , Ionde
dc.subject.ddc530de
dc.titleAbhängigkeit der Anfangsbildungsstadien dünner und epitaktischer Schichten von der Wachstumstemperatur und der Oberflächenbestrahlung durch Ionende
dc.typereportde
ubs.fakultaetZentrale Universitätseinrichtungende
ubs.institutIZUS Universitäres Bibliothekssystem (UB)de
ubs.opusid8206de
ubs.publikation.sourceOriginaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 97-105de
ubs.publikation.typVerschiedenartige Textede
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