Abhängigkeit der Anfangsbildungsstadien dünner und epitaktischer Schichten von der Wachstumstemperatur und der Oberflächenbestrahlung durch Ionen

Abstract

Für uns war es von Interesse, die Abhängigkeit der Morphologie dünner (<2 mikro m) epitaktischer Siliziumschichten auf einem verwandten Substrat von der Kondensationstemperatur und der Bestrahlung der Wachstumsoberfläche mit einem Ionenstrahl des Abscheidungsmaterials zu vergleichen. Auch die Möglichkeit, Informationen über die kritische Dicke zu bekommen, d. h. über die minimale Dicke geschlossener Epitaxieschichten, reizte uns. Um die Abhängigkeit der Morphologie der Epitaxieschicht von der Art der Oberflächenvorbehandlung zu verringern, wurden unterschiedlich dicke Schichten auf ein Substrat abgeschieden, bei dem es sich um einen Siliziumwafer mit (111)-orientierter Oberfläche handelte. Die Abscheidungsexposition wurde über einen beweglichen Shutter realisiert, der dem Ionenmolekularstrom den Weg zum Substrat versperrte.