Ultrasonic attenuation due to the neutral acceptor Mn in GaAs

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Lassmann, Kurt	de
dc.contributor.author	Schad, Hanspeter	de
dc.date.accessioned	2009-10-07	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T10:32:27Z	-
dc.date.available	2009-10-07	de
dc.date.available	2016-03-31T10:32:27Z	-
dc.date.issued	1976	de
dc.identifier.other	317906933	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-46790	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6732	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-6715	-
dc.description.abstract	We report on measurements of the ultrasonic attenuation in GaAs: Mn at frequencies between 400 and 2000 MHz and at temperatures between 1 and 35 K. The results indicate that there is a level 3 meV above the acceptor round state.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Ultraschallspektroskopie , Akzeptor <Halbleiterphysik>	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Ultrasonic attenuation due to the neutral acceptor Mn in GaAs	en
dc.type	article	de
dc.date.updated	2015-07-17	de
ubs.fakultaet	Externe wissenschaftliche Einrichtungen	de
ubs.institut	Max-Planck-Institut für Festkörperforschung	de
ubs.opusid	4679	de
ubs.publikation.source	Solid state communications 18 (1976), S. 449-452. URL http://dx.doi.org./10.1016/0038-1098(76)90311-2	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	14 Externe wissenschaftliche Einrichtungen

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