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http://dx.doi.org/10.18419/opus-7528
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DC Element | Wert | Sprache |
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dc.contributor.author | Seeger, Karlheinz | de |
dc.contributor.author | Schweitzer, Dieter | de |
dc.date.accessioned | 2011-07-06 | de |
dc.date.accessioned | 2016-03-31T11:43:29Z | - |
dc.date.available | 2011-07-06 | de |
dc.date.available | 2016-03-31T11:43:29Z | - |
dc.date.issued | 1966 | de |
dc.identifier.other | 367534045 | de |
dc.identifier.uri | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-63628 | de |
dc.identifier.uri | http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/7545 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.18419/opus-7528 | - |
dc.description.abstract | The average current density in n-type germanium subjected to superimposed strong ac and weak dc electric fields was both measured and calculated for frequencies of 9 and 35 GHz. Repopulation relaxation of the conduction band valleys and energy relaxation were taken into account. Experimental and theoretical result agree qualitatively. | en |
dc.language.iso | en | de |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | de |
dc.subject.classification | Elektrische Leitfähigkeit , Germanium , Relaxation | de |
dc.subject.ddc | 530 | de |
dc.title | Energy relaxation and intervalley relaxation of hot electrons in n-type germanium | en |
dc.type | conferenceObject | de |
dc.date.updated | 2012-07-12 | de |
ubs.fakultaet | Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung | de |
ubs.institut | Sonstige Einrichtung | de |
ubs.opusid | 6362 | de |
ubs.publikation.source | Proceedings ot the 8. International Conference on the Physics of Semiconductors. Tokyo : Physical Soc. of Japan, 1966 (Journal of the Physical Society of Japan, Supplement. 21), S. 415-419 | de |
ubs.publikation.typ | Konferenzbeitrag | de |
Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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