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dc.contributor.authorSeeger, Karlheinzde
dc.contributor.authorSchweitzer, Dieterde
dc.date.accessioned2011-07-06de
dc.date.accessioned2016-03-31T11:43:29Z-
dc.date.available2011-07-06de
dc.date.available2016-03-31T11:43:29Z-
dc.date.issued1966de
dc.identifier.other367534045de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-63628de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/7545-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-7528-
dc.description.abstractThe average current density in n-type germanium subjected to superimposed strong ac and weak dc electric fields was both measured and calculated for frequencies of 9 and 35 GHz. Repopulation relaxation of the conduction band valleys and energy relaxation were taken into account. Experimental and theoretical result agree qualitatively.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationElektrische Leitfähigkeit , Germanium , Relaxationde
dc.subject.ddc530de
dc.titleEnergy relaxation and intervalley relaxation of hot electrons in n-type germaniumen
dc.typeconferenceObjectde
dc.date.updated2012-07-12de
ubs.fakultaetFakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtungde
ubs.institutSonstige Einrichtungde
ubs.opusid6362de
ubs.publikation.sourceProceedings ot the 8. International Conference on the Physics of Semiconductors. Tokyo : Physical Soc. of Japan, 1966 (Journal of the Physical Society of Japan, Supplement. 21), S. 415-419de
ubs.publikation.typKonferenzbeitragde
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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