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dc.contributor.authorSöderholm, Svantede
dc.contributor.authorLoppinet, Benoitde
dc.contributor.authorSchweitzer, Dieterde
dc.date.accessioned2011-08-18de
dc.date.accessioned2016-03-31T11:43:52Z-
dc.date.available2011-08-18de
dc.date.available2016-03-31T11:43:52Z-
dc.date.issued1994de
dc.identifier.other355745712de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-65989de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/7694-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-7677-
dc.description.abstractThe deposition of Cs on c-axis-oriented thin films of α-(BEDT-TTF)2I3 causes a shift of the chemical potential in agreement with addition of electrons to the system. At high Cs doses a chemical reaction between Cs+ and I3- occurs, with the formation of CsI and probably mainly I2. In the valence-band regime new structures appear, due to I- ,i.e, CsI, and molecular orbitals of I2 derived from I 5p. The hybridization between these orbitals and the BEDT-TTF orbitals is negligible. The remarkable changes in the I 4d spectrum caused by Cs deposition can be understood within the framework of the proposed chemical reaction.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationTetrathiafulvalen , Organischer Supraleiter , Interkalation , Caesiumde
dc.subject.ddc530de
dc.titleCs deposition on c-axis-oriented thin films of α-(BEDT-TTF)2I3: evidence for electron doping and intercalationen
dc.typearticlede
ubs.fakultaetFakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtungde
ubs.fakultaetFakultät Mathematik und Physikde
ubs.institutSonstige Einrichtungde
ubs.institut3. Physikalisches Institutde
ubs.opusid6598de
ubs.publikation.sourceSynthetic metals 65 (1994), S. 65-69de
ubs.publikation.typZeitschriftenartikelde
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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