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dc.contributor.authorThiede, Andreasde
dc.contributor.authorTasker, Paulde
dc.contributor.authorHülsmann, Axelde
dc.contributor.authorKöhler, Klausde
dc.contributor.authorBronner, Wolfgangde
dc.contributor.authorSchlechtweg, Michaelde
dc.contributor.authorBerroth, Manfredde
dc.contributor.authorBraunstein, Jürgende
dc.contributor.authorNowotny, Ulrichde
dc.date.accessioned2014-05-12de
dc.date.accessioned2016-03-31T11:45:29Z-
dc.date.available2014-05-12de
dc.date.available2016-03-31T11:45:29Z-
dc.date.issued1993de
dc.identifier.other40637841Xde
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92548de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8215-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-8198-
dc.description.abstractThe design and performance of a 28-51 GHz dynamic frequency divider based on pseudomorphic Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs with 0.15 μm mushroom-shaped gates are presented. The circuit has a power consumption of approximately 440 mW and a chip area of approximately 200x220 μm2.en
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationGalliumarsenid-Feldeffekttransistor , Frequenzteiler , HEMTde
dc.subject.ddc621.3de
dc.title28-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 μm T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETsen
dc.typearticlede
ubs.fakultaetFakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtungde
ubs.institutSonstige Einrichtungde
ubs.opusid9254de
ubs.publikation.sourceElectronics letters 29 (1993), S. 933-934. URL http://dx.doi.org./ 10.1049/el:19930622de
ubs.publikation.typZeitschriftenartikelde
Enthalten in den Sammlungen:15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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