Electrons and holes in InSb under crossed magnetic and stress fields. 2, Recombination radiation

Wolfstädter, Bernd; Trebin, Hans-Rainer; Pascher, Harald; Häfele, Hans-Georg

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Wolfstädter, Bernd	de
dc.contributor.author	Trebin, Hans-Rainer	de
dc.contributor.author	Pascher, Harald	de
dc.contributor.author	Häfele, Hans-Georg	de
dc.date.accessioned	2016-01-18	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:46:33Z	-
dc.date.available	2016-01-18	de
dc.date.available	2016-03-31T11:46:33Z	-
dc.date.issued	1988	de
dc.identifier.other	456199608	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-104810	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8450	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8433	-
dc.description.abstract	Stimulated recombination radiation and spin-flip Raman scattering have been observed in InSb with uniaxial stress Tapplied perpendicular to a magnetic field B Tǁ[100] Bǁ[001. A k·p Hamiltonian was established within an 8 x 8 Kane model and diagonalized exactly for this particular geometry. Energy levels, transition energies, and corresponding oscillator strengths were calculated and compared to the experimental data.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Halbleiter , Magnetfeld , Raman-Effekt	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Electrons and holes in InSb under crossed magnetic and stress fields. 2, Recombination radiation	en
dc.type	article	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.fakultaet	Fakultät Mathematik und Physik	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Institut für Theoretische und Angewandte Physik (aufgelöst)	de
ubs.opusid	10481	de
ubs.publikation.source	Physical review, B 37 (1988), S. 10256-10259. URL http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.37.10256	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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