Realization of silicon-based monolithic E-band IMPATT-transmitter and Schottky-receiver for wireless applications
| dc.contributor.advisor | Schulze, Jörg (Prof. Dr.) | |
| dc.contributor.author | Zhang, Wogong | |
| dc.date.accessioned | 2019-10-21T07:48:31Z | |
| dc.date.available | 2019-10-21T07:48:31Z | |
| dc.date.issued | 2019 | de |
| dc.description.abstract | In dieser Dissertation ist die Realisierbarkeit eines hochperformanten, integrierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls in SIMMWIC-Technologie (SIMMWIC, engl. für Silicon mm-Wave Integrated Circuit) mit einer Chipfläche 4 mm2 erfolgreich demonstriert. Im Vergleich zur Silizium-basierten RF-CMOS- bzw. BiCMOS-Technologie (BiCMOS, engl. für Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) könnte somit die SIMMWIC-Technologie eine kostengünstigere Alternative für moderne, hochperformante Drahtlosekommunikationsanwendungen darstellen. | de |
| dc.identifier.other | 1679168487 | |
| dc.identifier.uri | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-106155 | de |
| dc.identifier.uri | http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10615 | |
| dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598 | |
| dc.language.iso | en | de |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | de |
| dc.subject.ddc | 621.3 | de |
| dc.title | Realization of silicon-based monolithic E-band IMPATT-transmitter and Schottky-receiver for wireless applications | en |
| dc.title.alternative | Realisierung eines monolithischen, Silizium-basierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls für Drahtlosekommunikationsanwendungen | de |
| dc.type | doctoralThesis | de |
| ubs.dateAccepted | 2019-04-01 | |
| ubs.fakultaet | Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik | de |
| ubs.institut | Institut für Halbleitertechnik | de |
| ubs.publikation.seiten | XIX, 135 | de |
| ubs.publikation.typ | Dissertation | de |
| ubs.thesis.grantor | Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik | de |