05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik
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Item Open Access Effiziente Leistungsverstärkerarchitekturen für Mobilfunkbasisstationen(2009) Dettmann, Ingo; Berroth, Manfred (Prof. Dr.-Ing.)Heutige Kommunikationsstandards erfordern Modulationsverfahren, welche die Information sowohl in der Phase als auch in der Amplitude des Trägers modulieren. Die daraus resultierenden Signale weisen hohe Amplitudenschwankungen auf. Die dafür notwendigen linearen Leistungsverstärker zeigen jedoch geringe Effizienzen. In der vorliegenden Arbeit werden zunächst die Anforderungen an Leistungsverstärker diskutiert und der Einfluss der Modulations- und Zugriffsverfahren untersucht. Anschließend werden die Anforderungen an den Transistor definiert und die Anforderungen an die Technologie formuliert. Es folgt eine Untersuchung der Betriebsarten von Verstärkern, welche die Grundlage für effizienzsteigernde Verstärkerarchitekturen bilden. Lineare Verstärker wie Klasse-A-, -AB- und -B-Verstärker zeigen eine hohe Linearität, die Effizienz fällt aber unterhalb der maximalen Ausgangsleistung schnell ab. Schaltverstärker wie Klasse-D- und -E-Verstärker sind zwar sehr effizient, können aber keine amplitudenmodulierten Signale verstärken. Es werden vier Methoden diskutiert, um die Effizienz unterhalb der maximalen Ausgangsleistung zu erhöhen: Der Doherty-Verstärker, der Chireix-Verstärker, die Versorgungsspannungsmodulation und der Bandpass-Klasse-S-Verstärker. Der Doherty-Verstärker bietet eine einfache Möglichkeit, die Effizienz auch unterhalb der maximalen Ausgangsleistung zu erhöhen. Das Prinzip beruht auf der Variation der Lastimpedanzen. Zwei Verstärker - ein Hauptverstärker und ein Spitzenverstärker - treiben dabei den gleichen Lastwiderstand. Der Spitzenverstärker wird nur bei hohen Ausgangsleistungen eingeschaltet und verändert das Kompressionsverhalten des Hauptverstärkers. Beim entworfenen Doherty-Verstärker erhöht sich die Effizienz 7 dB unterhalb der maximalen Ausgangsleistung von 15 % auf etwas über 27 %. Die maximale Ausgangsleistung reduziert sich allerdings von 85 W auf 56 W. Durch eine adaptive Arbeitspunktregelung des Spitzenverstärkers kann die Ausgangsleistung wieder auf 85 W erhöht werden. Die Effizienz steigt dabei nochmals um 5 % auf 32 %. Der Chireix-Verstärker basiert auf dem Prinzip der linearen Verstärkung durch nichtlineare Komponenten. Das zu verstärkende amplituden- und phasenmodulierte Signal wird durch einen Phasenmodulator in zwei gegenphasige Signale mit konstanter Amplitude aufgeteilt. Diese beiden Signale werden über hocheffiziente Verstärker verstärkt. Das ursprüngliche Signal wird durch Summation der beiden Signale wieder demoduliert. Eine Effizienzsteigerung erfolgt unter Verwendung von nichtisolierenden Summierern. Die Effizienzsteigerung beruht dabei auf der Variation der Lastgeraden. Der aufgebaute Chireix-Verstärker basiert auf dem GaAs-Transistor MRFG35010 von Freescale. Die Einzelverstärker werden im Klasse-B-Betrieb betrieben und haben eine maximale Ausgangsleistung von 5 W bei einer Frequenz von 2 GHz. Die Gesamtleistung ergibt sich damit zu 10 W. Die Effizienz beträgt maximal 52 %. Die Effizienz beim Chireix-Verstärker erhöht sich 7 dB unter der maximalen Ausgangsleistung von 25 % auf 32 % und bei 5 dB unter der maximalen Ausgangsleistung von 33 % auf 44 %. Die Versorgungsspannungsmodulation variiert die Drain- bzw. Kollektorspannung eines Verstärkers in Abhängigkeit der Aussteuerung des Transistors. Es ist das einzige untersuchte Verstärkerkonzept, welches mit allen Verstärkerklassen funktioniert. Es ist auch das einzige Konzept, welches die Bandbreite des HF-Verstärkers nicht einschränkt, solange der erforderliche Spannungsmodulator der Einhüllenden des HF-Signals folgen kann. Die Effizienz berechnet sich aus der Verkettung der Effizienzen des HF-Verstärkers und des Spannungsmodulators. Ein Verstärker auf Basis des GaAs-Transistors MRFG350101 wurde aufgebaut, dessen Versorgungsspannung über einen Klasse-AD-Verstärker geregelt wird. Die maximale Ausgangsleistung des Verstärkers beträgt 6.3 W bei einer Effizienz von 67 %. Die Versorgungsspannung wird im Bereich von 6 V - 12 V geregelt. Die Effizienz 7 dB unter der maximalen Ausgangsleistung steigt dabei von 30 % auf 44 %. Die Bandbreite des Modulators ist dabei größer als 3 MHz. Bandpass-Klasse-S-Verstärker verwenden Schaltverstärker, um ein analoges Signal hocheffizient zu verstärken. Das analoge Eingangssignal wird über einen Modulator in eine binäre Pulsfolge gewandelt, welche über einen Schaltverstärker effizient verstärkt wird. Anschließend wird das verstärkte Signal wieder demoduliert. Bandpass-Delta-Sigma-Modulatoren (BPDSM) stellen ein vielversprechendes Modulationsverfahren dar. Als Schaltverstärker können sowohl Klasse-D- Verstärker verwendet werden. Erstmals werden in dieser Arbeit analytische Untersuchungen zur Effizienz von sowohl nichtinvertierten als auch invertierten Klasse-D-Verstärkern bei Ansteuerung mit BPDSM-Signalen durchgeführt. Dies erlaubt eine Abschätzung der Effizienz von Bandpass-Klasse-S-Verstärkern unter Verwendung von Klasse-D-Verstärkern.Item Open Access Universelle Fernservice-Infrastruktur für eingebettete Systeme(2003) Jazdi, Nasser; Göhner, Peter (Prof. Dr.-Ing. Dr. h. c.)Globalisierung ist ein Vorgang, durch den Märkte und Produktionen in verschiedenen Ländern immer mehr kooperieren, aber auch voneinander abhängig werden. Ursache hierfür ist die Dynamik des Handels mit Gütern und Dienstleistungen sowie die Bewegungen von Kapital und Technologie. Die Differenzierung erfolgt nicht mehr nur durch das Produkt selbst, sondern zunehmend durch dazugehörige Dienstleistungen, wie Wartung und Software-Updates. Die globale Bereitstellung solcher Dienstleistungen ist jedoch ein existentielles Problem für kleine und mittelständische Unternehmen. Das Internet als ein weltweiter Verbund von Computernetzwerken bietet eine globale Kommunikationsmöglichkeit für den Menschen. Computer mit Internet-Zugang werden zum festen Bestandteil jedes modernen Arbeitsplatzes, auch infolge der immer geringer werdenden Anschaffungskosten. Die mit dem Internet verbundenen Web-Technologien ermöglichen die weltweite, effektive und kostengünstige Bereitstellung von Dienstleistungen. Der Einsatz der Web-Tech-nologien beim Erbringen von Dienstleistungen für Automatisierungsprodukte und -anlagen verlangt jedoch neue, an die spezifischen Randbedingungen der Automatisierungssysteme zugeschnittene Konzepte. In der vorliegenden Arbeit wird eine flexible und erweiterbare Infrastruktur für den Einsatz von Web-Technologien in eingebetteten Systemen vorgestellt. Sie baut auf der bewährten Drei-Schichten-Architektur, bestehend aus dem eingebetteten System, dem universellen Fernzugriff-Server und dem Client, auf. Dabei wird eine systemübergreifende und allgemeingültige Schnittstelle für die Anbindung unterschiedlicher eingebetteter Systeme und den Zugriff auf deren Prozessdaten geschaffen. Das Verfahren ermöglicht außerdem ein flexibles Weiterverarbeiten der Gerätedaten, sodass sie für unterschiedliche Clients aufbereitet werden können. Um die Flexibilität - sowohl auf der Seite des eingebetteten Systems als auch beim Client - zu gewährleisten, wird eine neue, XML-basierte Beschreibungssprache (SDML) eingeführt. Die SDML-Dokumente beinhalten Informationen über angebundene eingebettete Systeme, abrufbare Gerätedaten und Präsentationsregeln für unterschiedliche Clients. Sie werden gerätespezifisch erstellt. Das vorgeschlagene Verfahren ermöglicht die Anbindung unterschiedlicher eingebetteter Systeme an das Internet bei minimalem Hardware- und Softwareaufwand. Die einmalig entwickelten Software-Komponenten des Fernzugriff-Servers können für unterschiedliche Geräte verwendet werden und tragen damit zur Senkung der Diagnose- und Wartungskosten bei. Der Anwender kann einen gewöhnlichen Browser für die Kommunikation mit seinem Gerät verwenden und braucht somit keine zusätzliche Software auf seinem lokalen Rechner zu installieren.Item Open Access Design of radio frequency power amplifiers for cellular phones and base stations in modern mobile communication systems(2009) Wu, Lei; Berroth, Manfred (Prof. Dr.-Ing.)The mobile radio communication has begun with Guglielmo Marconi's and Alexander Popov's experiments with ship-to-shore communication in the 1890's. Land mobile radio telephone systems have been used since the Detroit City Police Department installed the first wireless communication system in 1921. Since that time, radio systems have become more and more important for both voice and data communication. The modern mobile communication systems are mainly designed in high frequency ranges due to the larger available bandwidth at these frequencies. Today, the mostly used mobile communication systems in the United States are cellular telephone systems operating at 800 - 900 MHz and personal communication systems (PCS) at 1800 - 2000 MHz. In Europe, these include the Global System for Mobile Communication (GSM) and Universal Mobile Telecommunications System (UMTS). China now has GSM/GPRS and Code Division Multiple Access (CDMA) networks. For the third generation services, China has been planning a 3G standard called Time Division Synchronous CDMA (TD-SCDMA) since 1999, which is planned to operate at 2010 MHz - 2025 MHz. In this work, attentions are paid on the uplink and downlink applications in the GSM and the UMTS systems adopted in Europe. No matter which system is discussed, a wireless communication link usually includes a transmitter, a receiver, and a channel. The functions of the quantization, of the coding and of the decoding are only performed in digital systems. Most links are fully duplex and include a transmitter and a receiver or a transceiver at each end of the link. Obviously, to send or receive large enough signals, power amplifiers and their driving amplifiers are necessary on both sides of the link. A radio frequency power amplifier is a circuit for converting directional current input power into a significant amount of RF output power. One of the principal differences between a small-signal amplifier design and a power amplifier design is that the main purpose of the latter is the maximum output power, not the maximum gain. However, a power amplifier cannot simply be regarded as a small-signal amplifier driven into the saturation. There is a great variety of different power amplifiers, while most of them employ techniques beyond simple linear amplification. In other words, RF power can be generated by a wide variety of techniques using a wide variety of devices. In this work, the fundamental theories used for the design of RF power amplifiers are systematically introduced. Using these theories, power amplifier circuits are designed both for the base stations and for the cellular phones adopted in the modern mobile communication systems in Europe.Item Open Access Mikrowellenmodellierung von photonischen Kristallen und Metamaterialien für die optische Nachrichtentechnik(2009) Rumberg, Axel; Berroth, Manfred (Prof. Dr.-Ing.)Negativ-Index-Materialien sind ein neues Forschungsgebiet. Das erste Metamaterial mit einem negativen Brechungsindex wurde 2001 vorgestellt. Das theoretische Konzept der Wellenausbreitung in Negativ-Index-Materialien ist aber bereits 1968 von V. Veselago entwickelt worden. Die der Arbeit zugrunde liegende Aufgabe besteht in der Modellierung von negativ brechenden photonischen Kristallen und Metamaterialien im Mikrowellenbereich. Sie werden im Hinblick auf ihre Verwendbarkeit im Bereich der optischen Telekommunikationswellenlängen untersucht. Durch die aufgrund der Skalierung größeren Abmessungen lassen sich die Strukturen einfacher herstellen und vermessen. Die Arbeitsprinzipien der Strukturen sind frequenzunabhängig. Metamaterialien bieten die Möglichkeit, die Permittivität und die Permeabilität maßzuschneidern. In den Einheitszellen dieser meist periodisch aufgebauten metallischen Strukturen werden künstliche magnetische Atome durch resonanzfähige Strukturen generiert. Die Periode des Metamaterials muss klein gegenüber der Wellenlänge sein. Neben den auf dem Resonatorkonzept aufgebauten Metamaterialien werden auch auf anderen Prinzipien beruhende Strukturen untersucht. Hier sind die leitungsgebundenen Metamaterialien zu nennen. Als einbettende Leitungen können z. B. Mikrostreifenleitungen verwendet werden. Im Vergleich zur konventionellen Transmissionsleitung werden Kapazität und Induktivität vertauscht. Auch photonische Kristalle können negativ brechen. In diesen periodischen Strukturen ist die Wellenlänge vergleichbar mit der Gitterkonstanten und die Einzelelemente, z. B. Metallzylinder, können aufgelöst werden. Bei bestimmten Frequenzen kann über das Dispersionsdiagramm ein effektiver negativer Index zugeordnet werden. Die negative Brechung der photonischen Kristalle kann dazu genutzt werden, eine von einer Quelle ausgehende Welle zu fokussieren. Diese Fokussierung wird mit zweidimensionalen photonischen Kristallen, die aus Löchern in einer Schichtwellenleiterstruktur bestehen, im Frequenzbereich um 20 GHz gezeigt. Das verwendete wellenführende Materialsystem TMM10 - Teflon modelliert das in photonischen integrierten Schaltkreisen verwendete Silizium-Siliziumdioxid. Nach erfolgreicher Demonstration der Fokussierung wird gezeigt, dass mittels photonischer Kristalle die Einkoppeleffizienz in einen Wellenleiter verbessert werden kann. In einer Teststrecke, die aus zwei sich gegenüberliegenden Wellenleitern mit dazwischen liegendem Schichtwellenleiter besteht, wird die Kopplung von einem Wellenleiter zum anderen durch Einsatz eines photonischen Kristalls gesteigert. Der photonische Kristall wird in den Schichtwellenleiter eingebracht. Die Kopplung wird im Vergleich zur Kopplung durch den reinen Schichtwellenleiter verbessert. Die in dieser Arbeit untersuchten resonanten Strukturen bieten das Potenzial, einen auf negativer Permittivität und Permeabilität beruhenden negativen Index zu erzeugen. Mit dem Drahtpaar, einer Abwandelung des Spaltring-Resonators, wird ein auch gut in der Optik zu vermessendes magnetisches Atom untersucht. Der negative Index wird im Frequenzbereich um 10 GHz festgestellt. Zur Untersuchung von Volumenmaterialien werden gestapelte Strukturen untersucht. Leitungsgebundene Strukturen bieten ebenfalls das Potenzial eines negativen Indexes. Eine Struktur wird aus hochfrequenztauglichem Material aufgebaut. Das einbettende Medium wird durch einen Parallelplattenhohlleiter gebildet. Die zur Erlangung des negativen Indexes benötigten Induktivitäten und Kapazitäten werden durch kurzgeschlossene Parallelplattenhohlleiter und metallische Durchkontaktierungen realisiert. Bei den Messungen wird ein negativer Index um 10 GHz festgestellt. Der letzte Abschnitt der Arbeit befasst sich mit der Skalierbarkeit der Strukturen. In der Simulation werden die Abmaße eines Drahtpaar soweit skaliert, dass sich eine Arbeitsfrequenz von 100 THz ergibt. Hierbei fällt auf, dass die Abmaße aufgrund der Eigenschaften von Metallen nicht direkt skaliert werden können. Lagen die Arbeitsfrequenzen der Metamaterialien anfangs im Mikrowellenbereich, so sind sie inzwischen durch Skalierung im optischen Frequenzbereich angelangt. Es wird daran gearbeitet, verlustarme Volumenmaterialien zu bauen. Konkrete Anwendungen gibt es bereits im Mikrowellenbereich. Es ist z. B. möglich, kompakte Koppler oder Leckwellenantennen zu bauen. Auch ist eine Tarnkappe realisiert worden. Die weiteren potenziellen Anwendungsgebiete im optischen Frequenzbereich sind weitreichend. Es ist möglich, das Licht auf unkonventionelle Art und Weise zu führen. Als Anwendungsbeispiel zu nennen sind hier die in dieser Arbeit vorgestellten Kopplungen mit photonischen Kristallen, die in photonischen integrierten Schaltkreisen als Schlüsselkomponenten eingesetzt werden können.Item Open Access Untersuchung des Rauschens in komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-Ringoszillatoren(2007) Grözing, Markus; Berroth, Manfred (Prof. Dr.-Ing. )Elektrische Oszillatoren werden in einer Vielzahl von elektronischen Systemen der Informations-, der Kommunikations- und der Sensortechnik eingesetzt und sind oft in ein komplexes System-on-Chip eingebettet. Die meisten Oszillatoren sind daher heute in integrierten CMOS-Schaltungen zu finden. Da die fortschreitende Miniaturisierung der Halbleitertechnologie hauptsächlich auf digitale Schaltungen in statischer CMOS-Logik ausgerichtet wird, bieten sich Ringoszillatoren mit statischen CMOS-Invertern ganz besonders zur Integration an. Diese CMOS-Ringoszillatoren bieten eine Reihe von Vorteilen, wie z.B. einen potenziell sehr großen Durchstimmbereich, einen großen Signalhub und einen kleinen Chipflächenverbrauch. Allerdings weisen CMOS-Ringoszillatoren ein größeres Rauschen auf als LC-Oszillatoren, weil sie keinen passiven Resonator haben, durch welchen die Schwingfrequenz festgelegt wird. Verschärft wird das Problem durch ein immer größer werdendes niederfrequentes 1/f-Rauschen der MOSFETs mit fortschreitender Technologieentwicklung. Dieses niederfrequente Rauschen führt zu einem vergrößerten mittenfrequenznahen Phasenrauschen und zu einem größeren Jitter der Signalflanken des Oszillatorsignals. Aus aktuellen Anwendungen für Oszillatoren und aus den gegenwärtigen Trends in der Technologieentwicklung lassen sich folgende Fragestellungen zu CMOS-Ringoszillatoren ableiten, die im Zentrum dieser Arbeit stehen: - Wie können breitbandig durchstimmbare Ringoszillatoren mit CMOS-Invertern, insbesondere auch mit Quadraturausgängen, entworfen werden? - Welche Form nimmt das Spektrum des freilaufenden Oszillators unter dem Einfluss von starkem 1/f-Rauschen an und wie verhält sich der akkumulierte Jitter? - Wie wird das thermische Rauschen und das 1/f-Rauschen der MOSFET in CMOS-Ringoszillatoren in das Oszillatorrauschen transformiert und welche Regeln lassen sich daraus für einen rauscharmen Entwurf von CMOS-Ringoszillatoren ableiten? Zunächst werden die Grundlagen der in den Oszillatoren verwendeten MOSFETs dargestellt. Neben den grundlegenden Gleichstrom- und Wechselstromeigenschaften liegt der Schwerpunkt auf dem Rauschen des MOSFETs, insbesondere auf dem 1/f-Rauschen. Im nächsten Teil der Arbeit wird auf die Technik der Elektrischen Oszillatoren eingegangen. Es wird ein Verfahren für den Aufbau von Ringoszillatoren mit statischen CMOS-Invertern und einer geraden Anzahl von Stufen vorgestellt. Der statisch stabile Arbeitspunkt des Rings mit gerader Stufenanzahl wird durch zusätzliche Vorwärtskopplungsinverter aufgehoben. Ein auf diesem Prinzip beruhender Oszillator mit Quadraturausgängen in 0,18 µm CMOS-Technologie weist einen Durchstimmbereich von 100 MHz bis 3,5 GHz auf. Im Weiteren wird auf die grundlegenden Eigenschaften des Spektrums und des akkumulierten Jitters von freilaufenden Oszillatoren eingegangen. Die Störmodulation durch weiße und durch 1/f-Rauschquellen wird betrachtet. Bei der Störmodulation durch 1/f-Rauschen muss dabei die Mess- oder Beobachtungsdauer in die Berechnung einbezogen werden. Es werden quantitative Zusammenhänge zwischen dem Spektrum und dem Jitter in allen Bereichen hergeleitet. Im letzten Teil der Arbeit wird auf das Rauschen in Ringoszillatoren mit statischen CMOS-Invertern eingegangen. Es werden einfache analytische Ausdrücke für das Rauschen in CMOS-Inverter-Ringoszillatoren vorgestellt, die auf der Abtastung des MOSFET-Rauschens beruhen und die sowohl die Frequenzstörmodulation durch thermisches wie auch durch 1/f-Rauschen beschreiben. Anhand dieser Ausdrücke wird deutlich, wie ein Oszillator ausgelegt werden muss, damit er bei gegebenen Technologie- und Rauschparametern ein möglichst kleines Phasenrauschen aufweist. In diesem Zusammenhang wird auch ein Verfahren vorgestellt, wie mit Stromeinprägung über eine rauscharme Stromquelle das Phasenrauschen von CMOS-Ringoszillatoren gegenüber dem Betrieb mit Spannungseinprägung verringert werden kann. Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wird deutlich, dass Ringoszillatoren mit statischen CMOS-Invertern für einen sehr großen Durchstimmbereich ausgelegt werden können und damit eine interessante Alternative für alle Anwendungen darstellen, die einen großen Frequenzbereich abdecken und bei denen die Anforderungen an das Phasenrauschen nicht allzu hoch sind. Weiterhin werden in dieser Arbeit die prinzipiellen Eigenschaften des Spektrums und des akkumulierten Jitters von freilaufenden Oszillatoren unter dem Einfluss von verstärktem 1/f-Rauschen analytisch hergeleitet. Dadurch wird eine umfassende Basis für das Verständnis des gemessenen Jitters und Spektrums gelegt. Für CMOS-Inverter-Ringoszillatoren wird das Oszillatorrauschen analytisch auf Basis der thermischen und 1/f-Rauschparameter der dem Entwurf zugrunde liegenden MOSFETs berechnet. Mit Hilfe dieser neuen Beziehungen kann das Oszillatorrauschen leicht abgeschätzt werden und es lassen sich damit Entwurfsregeln für rauscharme Ringoszillatoren formulieren.