Please use this identifier to cite or link to this item: http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598
Authors: Zhang, Wogong
Title: Realization of silicon-based monolithic E-band IMPATT-transmitter and Schottky-receiver for wireless applications
Other Titles: Realisierung eines monolithischen, Silizium-basierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls für Drahtlosekommunikationsanwendungen
Issue Date: 2019
metadata.ubs.publikation.typ: Dissertation
metadata.ubs.publikation.seiten: XIX, 135
URI: http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10615
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-106155
http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598
Abstract: In dieser Dissertation ist die Realisierbarkeit eines hochperformanten, integrierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls in SIMMWIC-Technologie (SIMMWIC, engl. für Silicon mm-Wave Integrated Circuit) mit einer Chipfläche 4 mm2 erfolgreich demonstriert. Im Vergleich zur Silizium-basierten RF-CMOS- bzw. BiCMOS-Technologie (BiCMOS, engl. für Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) könnte somit die SIMMWIC-Technologie eine kostengünstigere Alternative für moderne, hochperformante Drahtlosekommunikationsanwendungen darstellen.
Appears in Collections:05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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