Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen:
http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598
Autor(en): | Zhang, Wogong |
Titel: | Realization of silicon-based monolithic E-band IMPATT-transmitter and Schottky-receiver for wireless applications |
Sonstige Titel: | Realisierung eines monolithischen, Silizium-basierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls für Drahtlosekommunikationsanwendungen |
Erscheinungsdatum: | 2019 |
Dokumentart: | Dissertation |
Seiten: | XIX, 135 |
URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-106155 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10615 http://dx.doi.org/10.18419/opus-10598 |
Zusammenfassung: | In dieser Dissertation ist die Realisierbarkeit eines hochperformanten, integrierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls in SIMMWIC-Technologie (SIMMWIC, engl. für Silicon mm-Wave Integrated Circuit) mit einer Chipfläche 4 mm2 erfolgreich demonstriert. Im Vergleich zur Silizium-basierten RF-CMOS- bzw. BiCMOS-Technologie (BiCMOS, engl. für Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) könnte somit die SIMMWIC-Technologie eine kostengünstigere Alternative für moderne, hochperformante Drahtlosekommunikationsanwendungen darstellen. |
Enthalten in den Sammlungen: | 05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik |
Dateien zu dieser Ressource:
Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
---|---|---|---|---|
Dissertation-Wogong_Zhang-2019.pdf | 23,79 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
Alle Ressourcen in diesem Repositorium sind urheberrechtlich geschützt.