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dc.contributor.advisorSchulze, Jörg (Prof. Dr.)-
dc.contributor.authorZhang, Wogong-
dc.date.accessioned2019-10-21T07:48:31Z-
dc.date.available2019-10-21T07:48:31Z-
dc.date.issued2019de
dc.identifier.other1679168487-
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-ds-106155de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/10615-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-10598-
dc.description.abstractIn dieser Dissertation ist die Realisierbarkeit eines hochperformanten, integrierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls in SIMMWIC-Technologie (SIMMWIC, engl. für Silicon mm-Wave Integrated Circuit) mit einer Chipfläche 4 mm2 erfolgreich demonstriert. Im Vergleich zur Silizium-basierten RF-CMOS- bzw. BiCMOS-Technologie (BiCMOS, engl. für Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) könnte somit die SIMMWIC-Technologie eine kostengünstigere Alternative für moderne, hochperformante Drahtlosekommunikationsanwendungen darstellen.de
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.ddc621.3de
dc.titleRealization of silicon-based monolithic E-band IMPATT-transmitter and Schottky-receiver for wireless applicationsen
dc.title.alternativeRealisierung eines monolithischen, Silizium-basierten E-Band-IMPATT-Sender- und Schottky-Empfängermoduls für Drahtlosekommunikationsanwendungende
dc.typedoctoralThesisde
ubs.dateAccepted2019-04-01-
ubs.fakultaetInformatik, Elektrotechnik und Informationstechnikde
ubs.institutInstitut für Halbleitertechnikde
ubs.publikation.seitenXIX, 135de
ubs.publikation.typDissertationde
ubs.thesis.grantorInformatik, Elektrotechnik und Informationstechnikde
Enthalten in den Sammlungen:05 Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik

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