Selbst- und Fremddiffusion in amorphem Si28C36N36 und Si3N4

Abstract

Die Diffusion der Komponenten in einer neuartigen Keramik Si28C36N36, die mit Hilfe des Precursor-Verfahren aus Polyvinylsiliazan hergestellt wurde, wurde mittels des Radiotracer-Verfahrens untersucht. Dazu wurden in Proben des Materials radioaktive Atome 71Ge, 11C und 195Au implantiert. Die Proben wurden dann anschliessenden Temperaturbehandlungen ausgesetzt. Nach den Temprerungen wurden die Diffusionsprofile mittels Schichtenteilung durch Ionenstrahlzerstäubung oder Präzisionsschleifen bestimmt. Dazu wurde die Radioaktivitaet der einzelnen Schichten bestimmt die direkt proportional zur Konzentzration der Radiotracer in einer bestimmten Schicht einer bestimmten Tiefe ist.Die Ergebnisse zeigen, dass die Diffusion stark von der thermischen Vorbehandlung des Materials abhaengt.

This thesis deals with investigations concerning the self diffusion and foreign-atom diffusion in aniovel ceramic material namely Si28C36N36, which is produced from apolymeric precursor polyvinylsilazane. The diffusion coefficients are determined by a radiotracer technique. First of all radiisotope were implanted into the specimens. After thermal treaetments the diffusion profiles have been determied by sectioning by ion-beam sputttering or precision grinding. The results show that the diffusion depends strongly on the state of the material.