Magnetische Resonanz an Mangan-dotierten Halbleitern

Weiers, Tilman

Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-4702

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Weiers, Tilman	de
dc.date.accessioned	2003-11-27	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T08:35:09Z	-
dc.date.available	2003-11-27	de
dc.date.available	2016-03-31T08:35:09Z	-
dc.date.issued	2003	de
dc.identifier.other	109103319	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-15482	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4719	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-4702	-
dc.description.abstract	Es werden mehrere Proben aus Mangan-dotiertem GaAs anhand der ESR untersucht. Aus den Spektren werden die Beiträge der Feinstruktur und Hyperfeinstruktur ermittelt. In einer der Proben werden Mn-S Komplexe beobachtet. Die Spektren aus Messungen im W-Band bei 94 GHz zeigen Beiträge von ionisiertem Mangan auf Zwischengitterplätzen.	de
dc.description.abstract	Several GaAs samples doped with manganese at different concentrations are studied by EPR. From the spectra the fine structure and hyperfine structure contributions are evaluated and Mn-S complexes are found in one of our samples. The experiments carried out at 94 GHz reveal the presence of interstitial manganese in an epitaxial (Ga,Mn)As layer.	en
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Magnetische Resonanz , Mangan , Halbleiter	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.subject.other	(Ga,Mn)As	de
dc.subject.other	(Ga,Mn)As	en
dc.title	Magnetische Resonanz an Mangan-dotierten Halbleitern	de
dc.title.alternative	Magnetic resonance on manganese doped semiconductors	en
dc.type	masterThesis	de
dc.date.updated	2013-10-10	de
ubs.fakultaet	Fakultät Mathematik und Physik	de
ubs.institut	2. Physikalisches Institut	de
ubs.opusid	1548	de
ubs.publikation.typ	Abschlussarbeit (Diplom)	de
Enthalten in den Sammlungen:	08 Fakultät Mathematik und Physik

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