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dc.contributor.authorWeiers, Tilmande
dc.date.accessioned2003-11-27de
dc.date.accessioned2016-03-31T08:35:09Z-
dc.date.available2003-11-27de
dc.date.available2016-03-31T08:35:09Z-
dc.date.issued2003de
dc.identifier.other109103319de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-15482de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4719-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-4702-
dc.description.abstractEs werden mehrere Proben aus Mangan-dotiertem GaAs anhand der ESR untersucht. Aus den Spektren werden die Beiträge der Feinstruktur und Hyperfeinstruktur ermittelt. In einer der Proben werden Mn-S Komplexe beobachtet. Die Spektren aus Messungen im W-Band bei 94 GHz zeigen Beiträge von ionisiertem Mangan auf Zwischengitterplätzen.de
dc.description.abstractSeveral GaAs samples doped with manganese at different concentrations are studied by EPR. From the spectra the fine structure and hyperfine structure contributions are evaluated and Mn-S complexes are found in one of our samples. The experiments carried out at 94 GHz reveal the presence of interstitial manganese in an epitaxial (Ga,Mn)As layer.en
dc.language.isodede
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationMagnetische Resonanz , Mangan , Halbleiterde
dc.subject.ddc530de
dc.subject.other(Ga,Mn)Asde
dc.subject.other(Ga,Mn)Asen
dc.titleMagnetische Resonanz an Mangan-dotierten Halbleiternde
dc.title.alternativeMagnetic resonance on manganese doped semiconductorsen
dc.typemasterThesisde
dc.date.updated2013-10-10de
ubs.fakultaetFakultät Mathematik und Physikde
ubs.institut2. Physikalisches Institutde
ubs.opusid1548de
ubs.publikation.typAbschlussarbeit (Diplom)de
Appears in Collections:08 Fakultät Mathematik und Physik

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