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dc.contributor.authorZeile, Heinrichde
dc.contributor.authorLassmann, Kurtde
dc.date.accessioned2009-10-07de
dc.date.accessioned2016-03-31T08:35:51Z-
dc.date.available2009-10-07de
dc.date.available2016-03-31T08:35:51Z-
dc.date.issued1982de
dc.identifier.other317969560de
dc.identifier.urihttp://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-46944de
dc.identifier.urihttp://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4907-
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.18419/opus-4890-
dc.description.abstractThe splitting distribution of the acceptor ground state of Si(B) is determined from the frequency dependence of the ultrasonic resonance attenuation and from acoustic paramagnetic resonance. In the purest crystals a residual distribution is found of unknown origin. In crystals containing carbon or oxygen at concentrations above about 10 22 m-3 the distribution is broadened in rough accordance with statistical estimates.en
dc.description.abstractDie Aufspaltungsverteilung des Akzeptorgrundzustandes von Si(B) wird aus der Frequenzabhängigkeit der Ultraschalldämpfung und aus der akustischen paramagnetischen Resonanz ermittelt. In den reinsten Kristallen wird eine restliche Verteilung unbekannter Herkunft gefunden. In Kristallen mit Kohlenstoff und Sauerstoff in Konzentrationen oberhalb etwa 10 22 m-3 ist die Verteilung verbreitert in ungefährer Übereinstimmung mit statistischen Abschätzungen.de
dc.language.isoende
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessde
dc.subject.classificationAkzeptor <Halbleiterphysik> , Ultraschallspektroskopiede
dc.subject.ddc530de
dc.titleThe distribution of splittings (Ultrasonic investigation of the acceptor ground state of Si(B) ; 2)en
dc.typearticlede
ubs.fakultaetFakultät Mathematik und Physikde
ubs.institut1. Physikalisches Institutde
ubs.opusid4694de
ubs.publikation.sourcePhysica Status solidi B 111 (1982), S. 555-564. URL http://dx.doi.org./10.1002/pssb.2221110218de
ubs.publikation.typZeitschriftenartikelde
Enthalten in den Sammlungen:08 Fakultät Mathematik und Physik

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