Effect of laser annealing on specular and diffuse scattering of 285 GHz phonons at polished silicon surfaces

Mok, Erich; Burger, Susanne; Döttinger, Siegfried; Lassmann, Kurt; Eisenmenger, Wolfgang

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Mok, Erich	de
dc.contributor.author	Burger, Susanne	de
dc.contributor.author	Döttinger, Siegfried	de
dc.contributor.author	Lassmann, Kurt	de
dc.contributor.author	Eisenmenger, Wolfgang	de
dc.date.accessioned	2009-10-12	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T08:35:52Z	-
dc.date.available	2009-10-12	de
dc.date.available	2016-03-31T08:35:52Z	-
dc.date.issued	1986	de
dc.identifier.other	317995251	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-47051	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/4917	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-4900	-
dc.description.abstract	We have investigated the time resolved backscattering of high frequency phonons (greater-or-equal, slanted 285 GHz) at laser annealed silicon surfaces at low temperatures. It is found that the scattering off the free surface becomes predominantly specular up to frequencies well above 285 GHz and that the anomalous transmission into liquid helium (Kapitza effect) is strongly reduced.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Phononenemission , Silicium , Oberflächenbehandlung	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Effect of laser annealing on specular and diffuse scattering of 285 GHz phonons at polished silicon surfaces	en
dc.type	article	de
ubs.fakultaet	Fakultät Mathematik und Physik	de
ubs.institut	1. Physikalisches Institut	de
ubs.opusid	4705	de
ubs.publikation.source	Physics Letters A 114 (1986), S. 473-476. URL http://dx.doi.org./10.1016/0375-9601(86)90697-3	de
ubs.publikation.typ	Zeitschriftenartikel	de
Enthalten in den Sammlungen:	08 Fakultät Mathematik und Physik

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