Niedertemperaturdiffusion von Siliziumverunreinigungen

Uskov, V. A.; Erofeeva, E. A.; Lineva, N. A.

Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-6281

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Uskov, V. A.	de
dc.contributor.author	Erofeeva, E. A.	de
dc.contributor.author	Lineva, N. A.	de
dc.contributor.other	Pertschi, Ottmar (Übersetzer)	de
dc.date.accessioned	2008-11-26	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T10:25:29Z	-
dc.date.available	2008-11-26	de
dc.date.available	2016-03-31T10:25:29Z	-
dc.date.issued	1985	de
dc.identifier.other	313738688	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-38044	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6298	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-6281	-
dc.description.abstract	In der Arbeit werden die Versuchsergebnisse der Verfasser zur Niedertemperaturdiffusion der Nebengruppenelemente I (Au, Ag), VI (Cr) und VII (Ni, pd) des Periodensystems in Si verallgemeinert dargestellt. Die Problemstellung ergab sich aus der Bedeutung, die die Niedertemperaturdiffusion in der neuen Technologie der Festphasenepitaxie des Siliziums spielt, aber auch aufgrund der Erscheinungen, die die physikalische Zuverlässigkeit der elektronischen Bauteile bestimmen.	de
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Silicium , Diffusion	de
dc.subject.ddc	530	de
dc.title	Niedertemperaturdiffusion von Siliziumverunreinigungen	de
dc.type	report	de
dc.date.updated	2011-06-10	de
ubs.fakultaet	Zentrale Universitätseinrichtungen	de
ubs.institut	IZUS Universitäres Bibliothekssystem (UB)	de
ubs.opusid	3804	de
ubs.publikation.source	Originaltext erschienen in: Liegirovannye poluprovodniki (1982), S. 110-114	de
ubs.publikation.typ	Verschiedenartige Texte	de
Enthalten in den Sammlungen:	13 Zentrale Universitätseinrichtungen

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