Germaniumepitaxie aus einem Molekularstrahl im Vakuum

Anochin, B. G.; Lichtman, A. E.; Nemirovskij, L. N.; Sejdman, L. A.

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Anochin, B. G.	de
dc.contributor.author	Lichtman, A. E.	de
dc.contributor.author	Nemirovskij, L. N.	de
dc.contributor.author	Sejdman, L. A.	de
dc.contributor.other	Ludwig, Sören (Übersetzerin)	de
dc.date.accessioned	2012-11-21	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T10:25:58Z	-
dc.date.available	2012-11-21	de
dc.date.available	2016-03-31T10:25:58Z	-
dc.date.issued	1999	de
dc.identifier.other	376609672	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-78921	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6413	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-6396	-
dc.description.abstract	Der gegenwärtige Stand und der weitere Entwicklungsweg der Germaniumepitaxie aus einem Molekularstrahl im Vakuum werden diskutiert. Es wurde die Abhängigkeit der Strukturqualität homoepitaktischer Schichten von der Temperatur, der Wachstumsgeschwindigkeit, dem Restgasdruck und dem Verfahren der Substratvorbereitung untersucht. Die Herstellungsbedingungen für Schichten mit geringer Konzentration an unkontrollierbaren Beimischungen werden betrachtet. Es wird gezeigt, daß die reproduzierbare Herstellung von Epitaxieschichten ohne Stapelfehler, mit einer Konzentration der Fehlanordnungen von 10(hoch 4) cm(hoch -2) und einem gegebenen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,1-1,0 Wxcm möglich ist.	de
dc.language.iso	de	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Germanium , Selektive Epitaxie	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	Germaniumepitaxie aus einem Molekularstrahl im Vakuum	de
dc.type	report	de
ubs.fakultaet	Zentrale Universitätseinrichtungen	de
ubs.institut	IZUS Universitäres Bibliothekssystem (UB)	de
ubs.opusid	7892	de
ubs.publikation.source	Originaltext erschienen in: Elektronnaja technika, Serija 2 54 (1970) Nr. 4, S. 38-46	de
ubs.publikation.typ	Verschiedenartige Texte	de
Enthalten in den Sammlungen:	13 Zentrale Universitätseinrichtungen

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