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http://dx.doi.org/10.18419/opus-6417
Autor(en): | Ljutovic, Abram Srulevic |
Titel: | Elektrophysikalische Eigenschaften der Schichten |
Erscheinungsdatum: | 1999 |
Dokumentart: | Verschiedenartige Texte |
Erschienen in: | Originaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 128-134 |
URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82053 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6434 http://dx.doi.org/10.18419/opus-6417 |
Zusammenfassung: | Da sich der Mechanismus des Ioneneinfangs durch die wachsende homoepitaktische Schicht (HES) wesentlich vom Einfangmechanismus neutraler Atome des Molekularstromes unterscheidet, steht die Untersuchung der Gesetzmäßigkeiten der Dotierungsprozesse im Mittelpunkt unseres Interesses, insbesondere die Abhängigkeit der Beimischungskonzentration in der HES von den Hauptparametern, die die Wachstumsbedingungen und den Beimischungsstrom charakterisieren: Temperatur und Geschwindigkeit des Schichtwachstums, Ionenstromdichte W und mittlere Tiefe der Ioneneindringung d. |
Enthalten in den Sammlungen: | 13 Zentrale Universitätseinrichtungen |
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