Bitte benutzen Sie diese Kennung, um auf die Ressource zu verweisen: http://dx.doi.org/10.18419/opus-6417
Autor(en): Ljutovic, Abram Srulevic
Titel: Elektrophysikalische Eigenschaften der Schichten
Erscheinungsdatum: 1999
Dokumentart: Verschiedenartige Texte
Erschienen in: Originaltext erschienen in: Ljutovic, Abram Srulevic: Ionno-aktivirovannaja kristallizacija plenok. Taskent : FAN, 1982, S. 128-134
URI: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-82053
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6434
http://dx.doi.org/10.18419/opus-6417
Zusammenfassung: Da sich der Mechanismus des Ioneneinfangs durch die wachsende homoepitaktische Schicht (HES) wesentlich vom Einfangmechanismus neutraler Atome des Molekularstromes unterscheidet, steht die Untersuchung der Gesetzmäßigkeiten der Dotierungsprozesse im Mittelpunkt unseres Interesses, insbesondere die Abhängigkeit der Beimischungskonzentration in der HES von den Hauptparametern, die die Wachstumsbedingungen und den Beimischungsstrom charakterisieren: Temperatur und Geschwindigkeit des Schichtwachstums, Ionenstromdichte W und mittlere Tiefe der Ioneneindringung d.
Enthalten in den Sammlungen:13 Zentrale Universitätseinrichtungen

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