Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre

Abstract

Das moderne System MVE-500 zur Herstellung und Analyse von Epitaxieschichten wurde für die Abscheidung von Stoffen mit Hilfe eines Molekularstrahles auf ein Substrat entwickelt, das sich bei einer bestimmten Temperatur unter den Bedingungen des Hochvakuums befindet. Dank dieser Methode ist es möglich, Schichten mit schnellem Wechsel der Zusammensetzung der Abscheidungsschicht und der Konzentration der ihr zugeführten Dotierstoffe herzustellen. Die gewonnenen Schichten haben optische und strukturelle Eigenschaften von Halbleitern, die zur Herstellung komplizierter Bauelemente notwendig sind (IMPATT-Dioden; Dioden mit wechselnder Konzentration der Dotierstoffe; Trioden mit Schottky-Barriere; Halbleiterlaser mit Ladungsträgerinjektion; Lichtleiter). Für die Produktion und Reproduzierbarkeit ist es unbedingt notwendig, daß man halbleiterreines Material verwendet und über Meßmethoden verfügt, die zur Untersuchung sowohl der Zusammensetzung als auch der Oberflächenstruktur geeignet sind.