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http://dx.doi.org/10.18419/opus-8201
| Autor(en): | Berroth, Manfred Hurm, Volker Nowotny, Ulrich Hülsmann, Axel Kaufel, Gudrun Köhler, Klaus Raynor, Brian Schneider, Joachim |
| Titel: | A 2.5 ns 8 x 8-b parallel multiplier using 0.5 μm GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors |
| Erscheinungsdatum: | 1991 |
| Dokumentart: | Zeitschriftenartikel |
| Erschienen in: | Microelectronic engineering 15 (1991), S. 327-330. URL http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(91)90238-9 |
| URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92555 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8218 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8201 |
| Zusammenfassung: | To increase performance of GaAs LSI digital circuits, a 0.5 μm recessed gate process has been developed and utilized for an 8x8-b parallel multiplier. The chip contains about 3000 heterostructure field effect transistors and has a power consumption of 1.5 W. The best results of the maximum multiplication time measured were below 2.5 nsec. |
| Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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