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http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205
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DC Element | Wert | Sprache |
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dc.contributor.author | Berroth, Manfred | de |
dc.contributor.author | Bosch, Roland | de |
dc.contributor.author | Hurm, Volker | de |
dc.date.accessioned | 2014-05-12 | de |
dc.date.accessioned | 2016-03-31T11:45:30Z | - |
dc.date.available | 2014-05-12 | de |
dc.date.available | 2016-03-31T11:45:30Z | - |
dc.date.issued | 1989 | de |
dc.identifier.other | 411955128 | de |
dc.identifier.uri | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92609 | de |
dc.identifier.uri | http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8222 | - |
dc.identifier.uri | http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205 | - |
dc.description.abstract | A procedure is described to determine the carrier density profile in the channel of a FET by evaluating S-parameters measured over a broad frequency range. Applying this method to GaAs/AlGaAs heterostructures, a frequency dispersion of the gate capacitance has been found, which is attributed to a parasitic conducting channel. | en |
dc.language.iso | en | de |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | de |
dc.subject.classification | Galliumarsenid , Aluminiumarsenid , Mischkristall , Feldeffekttransistor , Integrierte Schaltung | de |
dc.subject.ddc | 621.3 | de |
dc.title | Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures | en |
dc.type | conferenceObject | de |
ubs.fakultaet | Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung | de |
ubs.institut | Sonstige Einrichtung | de |
ubs.opusid | 9260 | de |
ubs.publikation.source | Heuberger, Anton (Hrsg.): ESSDERC '89 : 19th European Solid State Device Research Conference, Berlin. Berlin : Springer, 1989. - ISBN 3-540-51000-1, S. 619-622 | de |
ubs.publikation.typ | Konferenzbeitrag | de |
Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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