Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures

Berroth, Manfred; Bosch, Roland; Hurm, Volker

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DC Element	Wert	Sprache
dc.contributor.author	Berroth, Manfred	de
dc.contributor.author	Bosch, Roland	de
dc.contributor.author	Hurm, Volker	de
dc.date.accessioned	2014-05-12	de
dc.date.accessioned	2016-03-31T11:45:30Z	-
dc.date.available	2014-05-12	de
dc.date.available	2016-03-31T11:45:30Z	-
dc.date.issued	1989	de
dc.identifier.other	411955128	de
dc.identifier.uri	http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92609	de
dc.identifier.uri	http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8222	-
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205	-
dc.description.abstract	A procedure is described to determine the carrier density profile in the channel of a FET by evaluating S-parameters measured over a broad frequency range. Applying this method to GaAs/AlGaAs heterostructures, a frequency dispersion of the gate capacitance has been found, which is attributed to a parasitic conducting channel.	en
dc.language.iso	en	de
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	de
dc.subject.classification	Galliumarsenid , Aluminiumarsenid , Mischkristall , Feldeffekttransistor , Integrierte Schaltung	de
dc.subject.ddc	621.3	de
dc.title	Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures	en
dc.type	conferenceObject	de
ubs.fakultaet	Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung	de
ubs.institut	Sonstige Einrichtung	de
ubs.opusid	9260	de
ubs.publikation.source	Heuberger, Anton (Hrsg.): ESSDERC '89 : 19th European Solid State Device Research Conference, Berlin. Berlin : Springer, 1989. - ISBN 3-540-51000-1, S. 619-622	de
ubs.publikation.typ	Konferenzbeitrag	de
Enthalten in den Sammlungen:	15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung

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