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http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205
Autor(en): | Berroth, Manfred Bosch, Roland Hurm, Volker |
Titel: | Frequency dependent CV measurements of GaAs/AlGaAs heterostructures |
Erscheinungsdatum: | 1989 |
Dokumentart: | Konferenzbeitrag |
Erschienen in: | Heuberger, Anton (Hrsg.): ESSDERC '89 : 19th European Solid State Device Research Conference, Berlin. Berlin : Springer, 1989. - ISBN 3-540-51000-1, S. 619-622 |
URI: | http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-92609 http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/8222 http://dx.doi.org/10.18419/opus-8205 |
Zusammenfassung: | A procedure is described to determine the carrier density profile in the channel of a FET by evaluating S-parameters measured over a broad frequency range. Applying this method to GaAs/AlGaAs heterostructures, a frequency dispersion of the gate capacitance has been found, which is attributed to a parasitic conducting channel. |
Enthalten in den Sammlungen: | 15 Fakultätsübergreifend / Sonstige Einrichtung |
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