Die prozessinduzierten mechanischen Spannungen an Strukturen eines integrierten Halbleiterspeichers wurden mit Hilfe der Finite-Elemente-Methode berechnet. Hierzu wurden zunächst aus der Literatur die mechanischen und thermischen Materialdaten von Silizium, Siliumoxid und Siliziumnitrid recherchiert. Für die Prozessschritte (i) Abscheidung von CVD-Oxid auf Silizium, (ii) CVD-Oxid plus LPCVD-Nitrid, (iii)Grabenätzung und Füllung mit Polysilizium und (iv) LOCOS-Oxidation wurden die entstehenden Spannungen berechnet und Fließprozesse abgeschätzt.
